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最終更新日:2008/02/27

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赤外線加熱単結晶育成装置

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赤外線加熱単結晶育成装置 基本情報

赤外線加熱単結晶育成装置

フローティング方式の赤外線加熱単結晶育成装置です。 磁性材料や誘電体および圧電体の単結晶はもちろん、 分解溶解形化合物、遷移元素化合物の単結晶、光学 結晶や宝石等も育成できます。 【特長】 ◆2000℃以上の高温が容易に得られます ◆赤外線のため、高周波誘導加熱で融解できない種々の酸化物結晶育成が可能です ◆るつぼ不要で不純物が混入しないため、高純度の単結晶が得られます ◆結晶育成に最適な雰囲気ガスを使用可能 ◆適正な軸方向の温度勾配 ◆安定したランプ出力 ◆結晶育成状況はパソコンモニターにて観察可能 ◆パソコンによる一元管理

単結晶育成装置(イメージ炉)

単結晶育成装置(イメージ炉)の製品画像です

フローティング方式の赤外線加熱単結晶育成装置です。

磁性材料や誘電体および圧電体の単結晶はもちろん、
分解溶解形化合物、遷移元素化合物の単結晶、光学
結晶や宝石等も育成できます。

【特長】
◆2000℃以上の高温が容易に得られます
◆赤外線のため、高周波誘導加熱で融解できない種々の酸化物結晶育成が可能です
◆るつぼ不要で不純物が混入しないため、高純度の単結晶が得られます
◆結晶育成に最適な雰囲気ガスを使用可能
◆適正な軸方向の温度勾配
◆安定したランプ出力
◆結晶育成状況はパソコンモニターにて観察可能
◆パソコンによる一元管理 (詳細を見る

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赤外線加熱単結晶育成装置 取扱い会社

キヤノンマシナリー株式会社詳細

半導体製造装置のうち後工程であるボンディング設備,その他半導体関連設備等を中心とした「セミコンシステム事業」、事務機器関連組立装置,小型二次電池製造装置,プリント基板関連装置,自動車電装関連装置等を中心とした「FAシステム事業」の開発・製造・販売を当社および国内外グループ企業の連携によって展開しております。

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