京セミ株式会社 東京営業所:取扱製品・サービス一覧

発光面が小さく、発光出力が大きく、高速応答のLEDです。

通常のLEDと比べ発光面が小さく、レンズなどの光学系で 集光したり平行光にする場合に設計が簡単になります。

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京セミ社が取扱う、紫外線センサ（UVセンサ）のご紹介です

通常のシリコン（Si）フォトダイオードでも紫外線を 検知することは可能ではありますが、可視光〜赤外線の感度が高いので 紫外線透過の光学フィルタが必要となります。 紫外線透過フィルタは一部の赤外線…（つづきを見る）

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独自のレンズ設計で、従来品よりレーザーに近い平行光束を実現したLEDです。

動作温度-40〜+125℃で高信頼性要求の産業用機器に最適です。（1，2は-20〜+100℃）

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波長とパッケージ形状は任意に選択可能

ひとつのパッケージに複数の波長のLEDチップを実装したLED

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窒化ガリウムと窒化インジウムガリウムを材料とした紫外線LED

GaN(窒化ガリウム)とInGaN(窒化インジウムガリウム)を材料とした紫外線LED　(UV-LED)です。

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発光波長1.3μm以上の高出力長波長赤外LED

InGaAsP（インジユムガリウムヒ素リン）を材料とした発光波長1.3μm以上の高出力長波長赤外LEDです。

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CCDカメラ用照明に最適

外形、横3.8mm（端子部含む）ｘ縦1.2mmｘ厚み0.6mmの 小型面実装のサイドビュータイプのLED

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光出力440mW。高出力タイプの赤外線LED

光出力440mW（IF=1A）/22mW（IF=50mA）の高出力赤外LEDです。

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産業用機器向け各種センサ、計測機器などの高信頼性を要求される用途に最適

低暗電流、高信頼性（動作温度-40〜+125℃）のシリコン（Si）フォトダイオード

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用途に応じた豊富なラインナップ

インジウムガリウムヒ素（InGaAs）を材料とした 長波長の赤外線（波長0.9〜2.7μm）を検知するフォトダイオード

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拡散した弱い光でも大面積で受光することで大きな光電流が得ることが可能

京セミ社が取扱う、大面積フォトダイオードのご紹介です

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レーザー距離計の受光部、短波長光通信、シンチレーターに最適

逆バイアス電圧をかけることでフォトダイオード内部で信号が増幅され 微弱な光でもS/N比の高い信号が得られるフォトダイオード

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太陽電池としてだけでなく、球状の受光素子としても使用可能

「スフェラーセル」1個を透明樹脂モールドした、球状太陽電池

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光伝送用TIA付き高速InGaAsフォトダイオードです

使用周囲温度-40℃～+85℃対応。作動出力方式。

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