【MEMS 2012】Si深掘り時の異常エッチングと対処法、豊田中研が発表

　2月2日まで開催されている「第25回IEEE MEMS国際会議（The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems）」では、豊田中央研究所から、エッチングに関する興味深い発表があった。”A DRIE Compensation Mask Pattern for Fabricating an Extremely Thick Comb Electrode”。DRIE（deep reactive ion etching）はMEMSの加工に欠かせないおなじみの技術。DRIEはSiを基本的には垂直に掘れる技術だが、実...