【基板加熱ヒーター Max1800℃】CVD薄膜開発用真空ホットプレート_1inch〜φ800

超高温MAX1800℃。　あらゆるプロセス環境に対応可能な基板加熱ヒーター

基板加熱ヒーター （窒化アルミプレート）Max 1800℃ 対応可能サイズ 1inch〜12inch用、及び最大φ800まで ヒーターエレメント：NiCr線（標準）、トッププレート材質：AlN（窒化アルミ）を採用した超高温・加熱効率に優れた成膜実験・製造装置用超高温基板加熱ヒーター（真空ホットプレート）です。（詳細はカタログダウンロードからお問合せ下さい。） AlN以外に、石英プレート、…

基板加熱ヒーター（Inc）Max850℃ 1inch〜4inch用

トッププレートにインコネルプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置搭載・成膜実験用真空ホットプレートです。

基板加熱ヒーター（BN） Max1100℃ 1inch〜4inch用

トッププレートにはBN（窒化ホウ素）セラミックプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置搭載・成膜実験用「ウエハー加熱ヒーター」です。

太陽電池成膜プロセスでの高温基板加熱用ヒーター、実験炉などを紹介。

太陽電池製造プロセス開発用に応用可能な、各種加熱装置、温度計測機器を紹介致します。「超高温基板加熱用ヒーター Max 1800℃」、「超高温卓上型カーボン実験炉」など、薄膜プロセスでの基板加熱、材料開発用他多目的に活用できる加熱装置製品をご提案致します。又、当社では熱電対、赤外線放射温度センサ、熱電対付ウエハーなどの温度計測機器も豊富に取り揃えております。 （⇒詳細は、下記お問い合わせフォームま…

簡単操作コンパクトラックに全てを収納 短時間でMax2200℃まで昇温可能！ （※新カタログ近日配布予定）

Max2200℃(Ar）、Max2000℃（真空中1x10-5Torr, N2） 有効加熱エリア・試料台サイズφ60（標準）、小片試料の設置が可能。 新素材・新材料開発、及び半導体・電子部品・燃料電池・大陽電池などの先端基礎技術開発部門でのさまざまなアプリケーションに対応。

超高温小型実験炉 Max3000℃! 小型・省スペース・省エネルギー 最高使用温度3000℃を達成！

◉ 小型キャビネット内に全ての機器を収納、必要機器を収めております。 ◉ ハイスペック&ハイコストパフォーマンス ◉ 前面扉から炉内アクセス、簡単な操作で超高温加熱焼成実験が可能 ◉ シンプルな構成、メンテナンス性に優れる超高温小型実験炉 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざ まな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 N2, Ar等の不活性ガス,…

PBN製【高純度ルツボ】ご要望に応じた形状にて都度設計製作致します。

PBN（窒化ホウ素）ルツボは、高耐熱性・熱伝導性に優れ、更に熱衝撃にも強く、加工性にも優れた高純度ルツボです。ご要望に応じた形状にて都度設計製作承ります。

半導体・真空装置用基板加熱機構 最高1800℃ 基板昇降・回転機構、RFバイアス印可可能

半導体、電子基板成膜プロセス装置及び研究開発用【高温基板加熱機構】 対応基板サイズ：2〜12inch 真空・不活性ガス雰囲気・O2・各種プロセス反応ガス雰囲気等対応可能（詳細別途協議）

CVD等の真空装置内対象物温度測定用熱電対

各種真空規格フランジを接続し、気密性を持たせた熱電対。Kタイプ（クラス2）、シース部SUS316もしくはインコネル。フランジサイズはICF34, ICF70, NW16, NW25, NW40。

◉ 超高温（条件により最高2000℃まで昇温可能） 
◉ エレメント材質選択肢が豊富 
◉ ゾーン分割制御により優れた均熱性

半導体・液晶・薄膜太陽電池などの各種基板上の成膜実験、真空成膜装置用の超高温基板加熱ヒーターエレメント。 材質豊富に取り揃えておりますので、あらゆるプロセス雰囲気に対応可能。ご要望仕様に適したヒーター選定が可能です。

低価格・高精度ウエハ均熱性測定用センサ　K、及びR熱電対 装置内基板温度を直接測定することで迅速な温度管理が可能。

【特徴】 ◎ 絶縁被覆先端部からのパーティクル発生を抑制 ◎ 素線教護、及び熱電対先端取付部の強度を向上、長寿命化を実現 ◎ 極細線熱電対を使用、迅速な応答速度を実現 ◎ シリコンウエハー以外の特殊基板、角型基板にも対応、カスタムオーダ承ります。

超高温Max1800℃。あらゆるプロセス条件に対応可能な基板加熱ヒーター。

「セラミックトップヒーター」は、ヒーターエレメントにNiCr線、トッププレートにAlN窒化アルミプレートを用いた、高温・加熱効率・均熱性に優れたホットプレートです。ヒーターエレメントは、NiCr、及びグラファイト、CCCなどのカーボンヒーター、SiCヒーター、セラミックコーティングなど使用条件に応じて選択が可能です。半導体製造装置・各種真空装置内（真空蒸着装置、スパッタリング装置、CVD装置）に最…

基板加熱ヒーター（BN, Inc）

トッププレートにインコネル、又はBN（Boron Nitride）セラミックプレートを採用した、熱伝導率・熱放射効率の良い、均熱性に優れた成膜装置搭載・成膜実験用真空ホットプレートです。 ◉ CVD, PVD, 蒸着装置等の真空基板加熱成膜用途 ◉ 各種成膜実験、ウエハー基板の高温加熱に最適 ◉ Max850℃（インコネルプレート）Max1100℃（BNプレート）

半導体・電子デバイス・太陽電池成膜・燃料電池などの研究開発用高温基板加熱用ヒーター、実験炉などを紹介。

太陽電池・燃料電池製造プロセス開発用に応用可能な、加熱装置・計測機器を紹介します。 ◉ 大気/高真空中/ガス雰囲気中あらゆるプロセス雰囲気に対応する基板均一加熱ヒーター。Max1800℃、φ1inchウエハ用から角型いずれも製作できます。ヒーターエレメントはNICｒ、グラファイト、CCC、グラファイトSIC or PBNコーティングなど雰囲気に応じて都度カスタマイズ致します。 ◉ 材料実験・研…

Max2200℃(Ar）、Max2000℃（真空中1x10-5Torr, N2）

（※ 新カタログ近日公開予定） ◆主な変更点・特徴◆ ・簡単操作! 作業者の習熟度を問わずどなたでも扱う事ができます。：PLC自動シーケンス操作。試料設置後、ボタン操作のみで真空引き〜ベントシーケンスを実行 ・上部扉より簡単に内部試料室にアクセス可能 ・加熱試料室サイズ標準φ60（オプションφ150） ・19"ラックに全てを収納 ・高真空雰囲気対応（ターボ分子追加：1x1…

3000℃までの高温実験が可能

3000℃までの高温実験が可能 ◆◇◆特徴◆◇◆ ◎小型・省スペース・省エネルギー! ◎安価・取扱いが簡単 ◎エアー、冷却水配管不可の場合、熱交換器で対応可能 ◎大学・企業等の研究室設備として最適 ＊詳細については、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。

PBN製【高純度ルツボ】ご要望に応じた形状にて都度設計製作致します。

【製作範囲】 ◉ 外径：〜φ330mm ◉ 高さ：〜500mm ◉ 厚さ：〜1.0mm ◉ その他チューブ形状、プレートもお請け致します。 ※ 物性値は資料を参照下さい。

半導体・真空装置用基板加熱機構 最大1800℃ 基板昇降・回転機構、RFバイアス印可可能

「半導体、電子基板成膜プロセス装置での高温基板加熱機構。」 ◉ 超高真空・酸素・水素雰囲気中・プロセスガス中での使用に対応 ◉ 基板Zシフト昇降、基板回転機構、及びRF/DCバイアス印可が可能。 ◉ 雰囲気に応じたエレメントを選択：SiC, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト/SiCコーティング, ランプヒーター ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, NW

各種真空規格フランジを接続し気密性を持たせたCVD装置などの真空装置内対象物測定用熱電対。

真空用熱電対基本情報 【基本仕様】 ◉ JIS Kタイプ クラス2 ◉ シース材質 SUS316, Inconel600 ◉ シース径 0.5, 1.0, 1.5 ◉ フランジ ICF34, 70, NW16, 25, 40 ◉ 補償導線 テフロン被覆 Y形圧着端子付き（ミニコネクタも可能） ◉ 使用可能真空度 1x10-9pa以下（ICF）、1x10-4pa以下（NW） その…