業界初 ウェーハ試験で大電流の動特性試験を実現
パワー半導体のウェーハ試験において、静特性はもとより、動特性試験をしかも、常温/高温で実現できます。
基本情報WL25V+WS58V ウェーハ 動特性テストシステム
WL25VとWS58Vのダブルサイドプローバを組み合わせる事により、パワー半導体をウェーハ状態で、静特性・動特性を常温／高温の雰囲気で実現することができます。
Vth (200A)
ON抵抗 2mΩ
L負荷 SW
Qg
アバランシェ測定
VF
Trr, Irr, di/dt
| 価格帯 | 5000万円 ~ 1億円 |
|---|---|
| 納期 |
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※完全受注生産 |
| 用途／実績例 | IGBT SBD MOSFET FRD IPD IPM chip |
取扱企業WL25V+WS58V ウェーハ 動特性テストシステム
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