株式会社Wave Technology 事例 製品環境でのパッケージ 熱抵抗測定技術
- 最終更新日：2019-12-26 14:19:49.0
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測定用素子として良く利用されるダイオード（PN接合）の特性を理解しないと、
正しく測定できない場合があります。
製品環境でのパッケージ熱抵抗を正しく求めるためには、実デバイスを使った
熱抵抗解析を高精度に評価する技術が必要となります。
局所発熱モデルにおいて実測と熱シミュレーションの整合モデルが作成出来ていれば、
任意発熱時の熱抵抗がシミュレーションで解けます。
弊社では、実測～シミュレーションまでの一環した受託サービスと合わせ、
熱抵抗検査装置を独自設計できる技術を保有しております。
その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
基本情報事例 製品環境でのパッケージ 熱抵抗測定技術
【従来の問題点】
○チップ全体でなくても、動作エリアを確実に把握できる発熱源を使いたい
○印加電流を押さえ、ジュール熱の影響を受けないよう電力供給を行いたい
【解決策】
○高耐圧のエリアをクランプさせ低電流・高電圧で発熱させる。
○AVCCは高耐圧クランプが期待できる。
→10V以上の耐圧が望ましい
【ランプ耐圧を使う場合の測定上の効果】
○クランプ発熱時、耐圧が温度と共にPositive側にシフトする。
→これにより、該当領域の温度を均一に保つことができる。
○耐圧の低い部分に電流が流れ、温度を上昇させる。
→温度上昇により耐圧がPositive側にドリフトするので結果的に該当領域全体が
均一耐圧及び均一温度に自動的にコントロールされる。
●その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
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カタログ事例 製品環境でのパッケージ 熱抵抗測定技術
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