書籍【SiCパワーデバイス最新技術】 S&T出版

次世代パワーエレクトロニクスの大本命!

○発刊日2010年05月14日○体裁B5判上製本 309頁○価格：本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税
○著者：木本恒暢京都大学 /
大谷昇関西学院大学 /
藤本辰雄新日本製鐵(株) /
楠一彦住友金属工業(株) /
亀井一人住友金属工業(株) /
矢代将斉住友金属工業(株) /
岡田信宏住友金属工業(株) /
宇治原徹名古屋大学 /
江龍修名古屋工業大学大学院 /
加藤正史名古屋工業大学大学院 /
村上彰一住友精密工業(株) /
田坂明政同志社大学 /
石田夕起 (独)産業技術総合研究所 /
田中保宣 (独)産業技術総合研究所 /
土田秀一 (財)電力中央研究所 /
横尾秀和 (株)アルバック /
松本健俊大阪大学産業科学研究所 /
小林光大阪大学産業科学研究所 /
伊瀬敏史大阪大学 /
丁建華東北大学 /
須藤祐司東北大学 /
他14名

関連リンク - http://www.stbook.co.jp/products/detail.php?produc…

基本情報書籍【SiCパワーデバイス最新技術】

第1章.SiCパワーデバイス技術動向・課題と今後の展開
第2章.SiC単結晶成長技術(昇華法)　～高品質化・大口径化～
第3章.SiC単結晶ウェーハの開発動向
第4章.SiCバルク結晶の溶液成長技術
第5章.SiC半導体基板の超平坦化加工/研磨スラリー技術
第6章.SiCの異方性エッチング技術
第7章.プラズマエッチングによるSiCの表面平滑化
第8章.SiCエピタキシャル成長技術の最新動向
第9章.4H-SiCエピ成長における拡張欠陥の挙動
第10章.SiC向け半導体製造技術と装置
第11章.SiCパワーデバイス用酸化膜の形成方法
第12章.SiCへの金属電極の形成方法
第13章.パワーデバイス用金属電極/SiCの界面反応組織と信頼性
第14章.SiCパワーデバイス量産に向けたCVD技術
第15章.SiCパワーデバイス超高温熱処理装置
第16章.SiCパワーデバイス用SIT
～21章

価格情報	本体 60,000円＋税 →STbook会員価格：56,952円＋税
価格帯	1万円 ~ 10万円
納期	2・3日
用途／実績例	技術

カタログ書籍【SiCパワーデバイス最新技術】

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