Maxφ130mmまで対応可能なレーザー光斜入射干渉計 位相シフト法による画像解析
レーザー光斜入射干渉計による干渉縞を位相シフト法により画像解析することで、種々のサンプルをデジタル計測するものです。
半導体ウェーハ(GaN、SiC、サファイア)などの研究開発、量産ラインで品質向上のために活躍します。
基本情報斜入射干渉法フラットネステスター『FT-17』
【特長】
・ウェーハ(シリコン、化合物、酸化物、ガラス)、金属片、ディスク(アルミ、ガラス)、機械部品等のサンプル測定が可能
・多重干渉縞に対応した弊社独自の位相シフト解析
・透明体サンプル測定時の裏面干渉を軽減させる独自の干渉性調整機構を搭載
・お客様によるキャリブレーションが不要
・専用解析装置はオペレーションシステムWindows10に対応
・豊富なオプション群
価格帯 | お問い合わせください |
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納期 | お問い合わせください |
型番・ブランド名 | FT-17 |
用途/実績例 | 半導体ウェーハ(GaN、SiC、サファイア)などの研究開発、量産ラインで品質向上に |
カタログ斜入射干渉法フラットネステスター『FT-17』
取扱企業斜入射干渉法フラットネステスター『FT-17』
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