株式会社片桐エンジニアリング CCPプラズマエッチング装置『CCP-T60M/B2M』
- 最終更新日：2020-05-26 13:25:16.0
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高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工！プロセスガスからラジカルを選択的に生成
『CCP-T60M/B2M』は、高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現する
平行平板型エッチング装置です。
プロセスガスからラジカルを選択的に生成し、低電子温度、高密度プラズマが
得られる60MHzパワーを上部電極に印加。
また、常に適切なエッチングプロセス条件が維持されるシーケンスプログラムを
内蔵しています。
【特長】
■平行平板型エッチング装置
■高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現
■プロセスガスからラジカルを選択的に生成
■60MHzパワーを上部電極に印加
■シーケンスプログラムを内蔵
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報CCPプラズマエッチング装置『CCP-T60M/B2M』
【その他の特長】
■イオンエネルギーを高密度に制御するため2MHzを下部電極に印加（オプション）
■エッチング処理毎のクリーニング処理（O2）により、電極やチャンバー壁についた
フロン系膜を除去
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| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 |
カタログCCPプラズマエッチング装置『CCP-T60M/B2M』
取扱企業CCPプラズマエッチング装置『CCP-T60M/B2M』
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○各種真空装置の開発・設計・製作・サービス ○半導体製造装置の開発・設計・製作・サービス ○一般機械装置の開発・設計・製作・サービス
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