メモリー構造解析レポート「SK Hynix 16 nm」テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

フラッシュメモリーの詳細なメモリー構造解析レポート

本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。
本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。
エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストークを低減します。

【特徴】
○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解
○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断

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基本情報メモリー構造解析レポート「SK Hynix 16 nm」

【目次】
○重要点の概要
○デバイスの概要
○プロセスの概要
○パッケージとダイ
○プロセス
○NAND フラッシュセルのレイアウトと構造解析
○EDS による材料解析
○寸法
○主な発見

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取扱企業メモリー構造解析レポート「SK Hynix 16 nm」

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テックインサイツは、カナダの首都オタワに拠点を置くグローバルなマイクロエレクトロニクス業界を対象とした技術・知財コンサルタント会社です。弊社は、VLSI集積回路および電子システムの綿密な技術調査・解析を通じて、顧客の知的財産（IP）権の行使や新しいテクノロジーおよび製品の開発と商品化をサポートします。