水銀プローバ　CV/IV測定システム雄山

基本情報水銀プローバ　CV/IV測定システム

アメリカFour Dimensions社の再現性、安全性に非常に優れた水銀プローブ方式を用いたCV/IV測定システムです。Si、化合物、SOI、バルクといった様々なウェハの特性を測定できます。

【特長】
◆電極作製が不要。水銀自体が電極となるため、コスト／時間の掛かる
　パターン形成工程が不要。バルク、又は絶縁膜を形成した状態で測定
　可能

◆オートマチックシステム。最大49箇所の測定サイトを指定しC-V、I-V
　特性、TDDB、Vdb、Qbdの酸化膜破壊評価、Dit、ドーピング濃度、酸化
　膜厚、Low-k、High-k等の自動マッピング測定が可能

◆高い測定再現性。正確に設計された水源プローブ面積と、測定毎に新鮮
　な水銀を使用する独自のメカニズムにより優れた測定再現性を実現

◆コンパクト構造。CV、IVメータ、搬送台、プローブ部を一体化

◆様々なウェハやチップに対応。1〜12インチウェハ、チップサイズサンプル
　の測定が可能

価格情報	-
納期	お問い合わせください
型番・ブランド名	CVmap92Aシリーズ
用途／実績例	◆エピタキシャル／イオン注入層の評価。シリコンウェハ又は化合物ウェハ　のイオン注入ドーズ量、キャリア濃度、Vfb　など ◆絶縁膜の評価。ゲ−ト、又はフィールド絶縁膜の比誘電率(Low-K, 　High-K)、Dit、Vbd、Qbd、TDDB、酸化膜容量/膜厚、キャリア生成ライフ　タイム、I−V測定、ピンホール密度、抵抗率　など ◆強誘電体膜の評価。ヒステリシス、レスポンス時間、K-E、P-E、K-f など ※詳細は『資料請求』まで