- 固体ソースECRプラズマ成膜装置 ATEX EC-2300
-
- 最終更新日:2010/10/01
- 印刷用ページ
-
- 低温・低損傷、高品質薄膜形成。固体ソースECRプラズマ成膜装置
- エムイーエス アフティ株式会社
- 【装置特徴】
■マイクロ波導入窓への膜付着を防ぎ、長期安定稼動を実現した分岐結合型ECRプラズマ源搭載
■固体ソースからのスパッタ粒子と低エネルギー・大電流のECRプラズマ流(酸素、窒素等)を直接反応させるため、排ガス処理不要の環境適応装置
■成膜室の主排気はターボ分子ポンプを採用するとともに、ロードロック機構の採用によりクリーンな成膜環境を実現。
■真空排気はシーケンスが自動化され、各種インターロック機構採用。 -
固体ソースECRプラズマ成膜装置 ATEX EC-2300 基本情報
薄膜研究にたずさわる方々からの要望におお応えするため、お求め安い価格のATEX-2300を開発いたしました。
低価格ながらマイクロ波分岐結合型ECRイオン源を搭載するとともに、ロードロック機構、ターボ分子ポンプを装備した高性能機です。
酸化物、窒化物などの薄膜研究に最適な装置です。
◆成膜特徴◆
【高品質薄膜形成】
低エネルギーに制御された高密度イオンの照射下で薄膜が成長するため、原子レベルの平滑性で緻密・高品位な薄膜が形成されます。
極限的な耐圧を示すSiO2膜の他、ダイヤモンド並みに硬く、水分の遮断性に優れたSi3N4、水素バリア性の高いAl2O3膜など得られます。
【低温、低損傷】
イオンアシスタント効果により、高温の加熱を行うことなく酸化膜、窒化膜などの化合物薄膜を形成できるほか、低温で高い結晶性薄膜を得ることも可能です。
また、イオンエネルギーが低いことから、基板に対して低損傷でソフトな清浄化効果を期待できます。
【広範囲な材料成膜】
各種の化合物薄膜を容易に形成できます。
| 価格 |
- |
|---|---|
| 価格帯 | その他 |
| 納期 | |
| 発売日 | 取扱い中 |
| 型番・ブランド名 | ATEX EC-2300 |
| 用途/実績例 | ◆詳細は資料請求またはダウンロードからお問い合わせください◆ |
| よく使用される業種 | 化学、産業用機械、民生用電気機器、産業用電気機器、電子部品・半導体、自動車・輸送機器、試験・分析・測定、IT・情報通信、ソフトウェア、教育・研究機関、その他 |
固体ソースECRプラズマ成膜装置 ATEX EC-2300のカタログ
固体ソースECRプラズマ成膜装置 ATEX EC-2300
-
-
- 薄膜研究にたずさわる方々からの要望におお応えするため、お求め安い価格のATEX-2300を開発いたしました。
低価格ながらマイクロ波分岐結合型ECRイオン源を搭載するとともに、ロードロック機構、ターボ分子ポンプを装備した高性能機です。
酸化物、窒化物などの薄膜研究に最適な装置です。
◆成膜特徴◆
【高品質薄膜形成】
低エネルギーに制御された高密度イオンの照射下で薄膜が成長するため、原子レベルの平滑性で緻密・高品位な薄膜が形成されます。
極限的な耐圧を示すSiO2膜の他、ダイヤモンド並みに硬く、水分の遮断性に優れたSi3N4、水素バリア性の高いAl2O3膜など得られます。
【低温、低損傷】
イオンアシスタント効果により、高温の加熱を行うことなく酸化膜、窒化膜などの化合物薄膜を形成できるほか、低温で高い結晶性薄膜を得ることも可能です。
また、イオンエネルギーが低いことから、基板に対して低損傷でソフトな清浄化効果を期待できます。
【広範囲な材料成膜】
各種の化合物薄膜を容易に形成できます。 - [PDF:3MB]
- 薄膜研究にたずさわる方々からの要望におお応えするため、お求め安い価格のATEX-2300を開発いたしました。
固体ソースECRプラズマ成膜装置 ATEX EC-2300 取扱い会社
創業以来、長年培ってきたECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマ成膜技術をベースに、各種デバイスに適合された固体ソースECRプラズマ成膜装置シリーズの製造販売、円筒型スパッタリングターゲットや防着治具等の消耗品の製造販売、および装置故障修理やメンテナンスなどのフィールドサービスを行っております。
固体ソースECRプラズマ成膜装置 ATEX EC-2300へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。
固体ソースECRプラズマ成膜装置 ATEX EC-2300 が登録されているカテゴリ
固体ソースECRプラズマ成膜装置 ATEX EC-2300 と関連するおすすめ情報
製造業技術トレンド 関連記事
-
- 東京エレクトロン、Infineon社からSiCエピ成膜装置を受注
- 2012/03/21
-
- 韓国製グラフェン成膜装置、アイトリックスが国内販売へ
- 2012/04/10
-
- 次世代パワー半導体向けソースメジャメントユニット、3kVで20mAの4象限動作
- 2012/03/23
-
- 米AMATがプラズマCVD新製品、酸化物半導体向け酸化膜を形成
- 2012/03/22



























