クロスライトソフトウェアインク日本支社半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

最終更新日：2020-05-12 11:39:41.0
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新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高共振構造も正確に解くことが可能、解析の応用例が広がりました

＜主な特徴＞
■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています
■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を
含むレーザダイオードが計算可能

＜多様な物理モデルや機能＞
■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数（１次、２次のグレーティング）
■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度
■２次グレーティングDFBレーザーについての表面放出モード分布の計算
■異なる縦モードに対する出力と周波数変化
■サイドモード比、線幅、線幅と出力の積、有効α、２次調和歪み、
　表面放出出力（２次グレーティングDFB）
■異なるレーザー面と任意のバイアス条件でのモード出力スペクトル
■異なるバイアス条件と時間におけるモード出力スペクトル
■任意のバイアス条件におけるAM/FM微小信号変調応答、FM/RINノイズスペクトル
■２次調和歪みスペクトル

■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
　もしくはお問い合わせ下さい。

■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください

基本情報半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター　PICS3D

＜インターフェイス＞
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

＜材料マクロ＞
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

価格情報	-
納期	お問い合わせください
型番・ブランド名	PICS3D
用途／実績例	＜適用デバイス・モデル＞ ■光増幅器(SOA) ■青色レーザ ■BPM ■ブロードエリアレーザ ■DBR ■DFB ■EAM ■エッジ型レーザ ■ハイブリッドレーザ ■MMIレーザダイオード ■結晶方位の効果 ■マッハツェンダー ■多共振器 ■フォトニック結晶レーザダイオード ■光ポンプレーザ ■量子カスケードレーザ(QCL) ■量子ドットレーザ(QDot) ■リングレーザ ■SLD ■スパイラルレーザ ■VCSEL ■VCSOA ■過渡解析 ■熱解析など＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、NFP、FFP、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.)