厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス（特許出願中）
● 独自のセルフバイアス法の採用により高速（3000〜5000Å/min）かつ低ストレスの成膜が可能。（特許出願中）
● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能。
● 反応室に独自の工夫を施しているためパーティクルの発生を抑制。
● 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能。
● Ge、P、Bの液体ソースを用いて屈折率の任意の制御が可能。標準1系列に加え、オプションでさらに2系列のドーパント導入系の追加が可能。
基本情報SiO2厚膜形成用プラズマCVD装置
PD-270STPは、液体ソースのTEOSによるシリコン酸化膜（SiO2）形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。カソード側の高いシース電界で得られるイオンエネルギーにより、薄膜から厚膜までのシリコン酸化膜を低ストレスで形成することが可能です。
| 価格情報 | - |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | PD-270STP (LS-CVD) |
| 用途／実績例 | ● 光導波路など光学部品の製造 ● マイクロマシーンのマスク形成 ● プラスチック材料の保護膜の形成 ● 高アスペクト比段差への被膜 |
取扱企業SiO2厚膜形成用プラズマCVD装置
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