- スパッタリングターゲットfor VLSI
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- 最終更新日：2010/10/01
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- スパッタリングターゲットfor VLSI
- アルバックマテリアル株式会社
- 当社では半導体プロセスで要求される用途により、製造方法が異なる2種類のタングステンターゲットを開発しております。
純度が5Nグレードの製品には粉末焼結法を採用した安価な高密度タングステンターゲットを開発し、より高い品質を要求される部位にはCVD（気相成長法）を採用した7Nを誇るCVDタングステンターゲットを開発しております。
このように、当社では半導体プロセス毎に要求される仕様に最適なターゲット製造方法を採用することでお客様に高いパフォーマンスを提供しております。
●低パーティクル
●均質な膜厚分布
●高い使用効率
を品質目標として、材料毎に製造方法を検討することで、高品質なスパッタリングターゲットの開発と製造を行っております。 -
- この製品 を
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スパッタリングターゲットfor VLSI 基本情報
当社では半導体プロセスで要求される用途により、製造方法が異なる2種類のタングステンターゲットを開発しております。
純度が5Nグレードの製品には粉末焼結法を採用した安価な高密度タングステンターゲットを開発し、より高い品質を要求される部位にはCVD（気相成長法）を採用した7Nを誇るCVDタングステンターゲットを開発しております。
このように、当社では半導体プロセス毎に要求される仕様に最適なターゲット製造方法を採用することでお客様に高いパフォーマンスを提供しております。
●低パーティクル
●均質な膜厚分布
●高い使用効率
を品質目標として、材料毎に製造方法を検討することで、高品質なスパッタリングターゲットの開発と製造を行っております。
| 価格 |
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|---|---|
| 価格帯 | その他 |
| 納期 | |
| 発売日 | 取扱い中 |
| 用途／実績例 | 半導体 |
| よく使用される業種 | 電子部品・半導体 |
スパッタリングターゲットfor VLSIのカタログ
スパッタリングターゲットVLSI
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- 当社では半導体プロセスで要求される用途により、製造方法が異なる2種類のタングステンターゲットを開発しております。
純度が5Nグレードの製品には粉末焼結法を採用した安価な高密度タングステンターゲットを開発し、より高い品質を要求される部位にはCVD（気相成長法）を採用した7Nを誇るCVDタングステンターゲットを開発しております。
このように、当社では半導体プロセス毎に要求される仕様に最適なターゲット製造方法を採用することでお客様に高いパフォーマンスを提供しております。
●低パーティクル
●均質な膜厚分布
●高い使用効率
を品質目標として、材料毎に製造方法を検討することで、高品質なスパッタリングターゲットの開発と製造を行っております。 - [PDF:2MB]
- 当社では半導体プロセスで要求される用途により、製造方法が異なる2種類のタングステンターゲットを開発しております。
スパッタリングターゲットfor VLSI 取扱い会社
半導体分野やフラットパネルディスプレイ分野における最先端デバイスで使用される薄膜材料、一般電子部品や化学工業分野で広く応用されているチタンやタンタル等の高融点活性金属材料の製作を通じ、広く産業分野に貢献をしております。 ■各種スパッタリングターゲット及び蒸着材料 ■再生精密洗浄処理 ■高融点活性金属材料 ■ナノメタル粒子 ■有機ELサポートサービス ■装置設計・製造 ■輸入販売
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