「パワーデバイス」がつけられた製品一覧
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最終更新日:2011/11/15
高熱伝導×低熱膨張でラクラク熱設計! ヒートサイクル対策に最適です。
高熱伝導(アルミと同等またはそれ以上)、低熱膨張(デバイス/セラミックスと同じ程度~ガラス程度と選択可能)のMMC放熱材。さらにはアルミ並みの軽量。 また、フィン形状や水冷機構の一体化も可能。 放…(つづきを見る)
価格帯 その他 納期 その他
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最終更新日:2012/05/26
超高温MAX1800℃。 あらゆるプロセス環境に対応可能な基板加熱ヒーター
基板加熱ヒーター (窒化アルミプレート)Max 1800℃ 対応可能サイズ 1inch〜12inch用、及び最大φ800まで ヒーターエレメント:NiCr線(標準)、トッププレート材質:AlN…(つづきを見る)
価格帯 その他 納期 その他
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最終更新日:2012/05/26
◉ 超高温(条件により最高2000℃まで昇温可能) ◉ エレメント材質選択肢が豊富 ◉ ゾーン分割制御により優れた均熱性
半導体・液晶・薄膜太陽電池などの各種基板上の成膜実験、真空成膜装置用の超高温基板加熱ヒーターエレメント。 材質豊富に取り揃えておりますので、あらゆるプロセス雰囲気に対応可能。ご要望仕様に適したヒータ…(つづきを見る)
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最終更新日:2012/05/26
半導体・真空装置用基板加熱機構 最高1800℃ 基板昇降・回転機構、RFバイアス印可可能
半導体、電子基板成膜プロセス装置及び研究開発用【高温基板加熱機構】 対応基板サイズ:2〜12inch 真空・不活性ガス雰囲気・O2・各種プロセス反応ガス雰囲気等対応可能(詳細別途協議)
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最終更新日:2012/05/26
基板加熱ヒーター(BN) Max1100℃ 1inch〜4inch用
トッププレートにはBN(窒化ホウ素)セラミックプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置搭載・成膜実験用「ウエハー加熱ヒーター」です。
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最終更新日:2012/04/06
パワー製品の伝送線路特性を考慮した設計開発支援
弊社では、LSIからパワーエレクトロニクスまで半導体応用製品に関する幅広い経験をベースとした、設計支援を行なっております。 近年注目されているインバータに代表されるパワーエレクトロニクス分野ではスイ…(つづきを見る)
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最終更新日:2012/05/02
電子・半導体業界用!1枚のウェハー製造用ヒーターモジュール
従来のシリコンデバイス用途のみならず、シリコン系パワーデバイス(IGBT)の熱処理用途や化合物半導体(GaN、SiC)のアニール処理、エピ成長装置としてご検討下さい。
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最終更新日:2012/04/19
品質UP!効率UP!信頼UP!技術を軸にした提案とトータルコストの低減。
電磁界解析用シミュレータQ3D Extractor(Q3D) を活用することで、 パワーラインのレイアウト設計品質を高めることができます。 波形実測による検証と組み合わせた設計検証も可能となります…(つづきを見る)
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最終更新日:2010/10/01
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最終更新日:2012/05/17
最適なヒートシンクは、熱膨張率と伝導率のバランスが大切です。
デバイス設計上の熱対策は、高出力化と小型化が進む各種エレクトロニクス製品において、必要不可欠な基本技術です。デバイスの信頼性確保は半導体素子への熱の影響を最小限に抑えること、また各部材の熱膨張を意識す…(つづきを見る)
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最終更新日:2010/10/01
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最終更新日:2010/10/01




































