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  • 最終更新日:2012/02/17

    SiCショットキーバリアダイオードの製品画像です

    低損失で高耐圧・大電流回路に最適な次世代パワー半導体 SiCショットキーバリアダイオード、量産中!

    高耐圧・大電流回路に最適なSiC(シリコンカーバイド)材料を用いたショットキーバリアダイオードを開発しました。高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減で、機器の動作周波数を向上させます。 …(つづきを見る

  • 最終更新日:2012/05/09

    SiCナノパウダー画像

    純度が高く(純度99.9999%の試作に成功!)、15nm~80nmで任意の粒径サイズ製造可能

    ゴム、樹脂、成形品、研磨材などの様々な用途で評価していただいております。 SiCの特性である高硬度性 、耐熱性 、高熱伝導性 、低熱膨張性 、化学的安定性は最先端分野で非常に期待されており、今後も様…(つづきを見る

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