リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置　

PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

蓄熱燃焼式脱臭装置『Deopo（デオポ）』

PR装置全体をコンパクト化し組立た状態で運搬する為設置工事を簡略化 ！生…

『Deopo（デオポ）』は、従来の蓄熱燃焼式脱臭装置「RTO」の3塔式と回転式の 優れている要素を併せ持ち、ワンユニットにパッケージ化した装置です。 VOCの処理効率は98%以上、温度効率は95%以上の性能を持ち、従来品に比べ、 パージ部分の体積を最小にすることによりコンパクト化することが出来ました。 また、工場で組立した状態で運搬可能なサイズなので、標準装置の場合は 現地の荷降...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社サーマルプラント

多結晶サーマル

1,000W/mKから2,000W/mK以上までの熱伝導率を設計！多結…

ダイヤモンドは銅の5倍の熱伝導率を持ち、電気絶縁体であるため、 完璧なヒートシンクとなります。 CVDダイヤモンドは、サイズや形状の制限を受けることなく、 単結晶ダイヤモンドのすべての特性を備えています。 ダイヤモンドの卓越した熱伝導率と高い電気抵抗率は、マイクロプロセッサの 周波数向上、高出力化、部品の小型化、長寿命化を可能にします。 【特長】 ■1,000W/mKから...

メーカー・取り扱い企業： 合同会社SUPERHARD JAPAN

【HTシリーズ基板加熱ヒーターMax1900℃】Φ1〜8inch

プレート最高温度Max1900℃。HV, UHVほか過酷なプロセス環境…

基板加熱ヒーターは半導体・電子デバイス等の成膜工程での基板加熱用に開発されたハイスペック基板加熱ヒーターです。 トッププレートに熱伝導性・熱放射率・耐サーマルショック・絶縁性に優れた窒化アルミを標準採用、プレートを短時間で超高温まで昇温します。 ヒーター材質はC/C、SiC3、TIC3の３種類を用意。応用範囲は幅広く、装置側の様々な設置条件に対応、多...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

Aera PI-980　プレッシャーインセンシティブＭＦＣ

明日のプロセスニーズに応える次世代PI技術

せるとともに、リアルタイムプロセス制御において優れた性能を発揮します。その優れた流量安定性により、チャンバ間のプロセス再現性が向上し、生産歩留まりを改善します。 PI-980シリーズは、従来型のサーマル式の構造に、圧力センサ、温度センサならびに当社独自のNeuralStep制御技術を一体化することによって、従来型の製品に使われていたハイコストなガスパネル部品の必要性を減少します。また、マルチガス...

メーカー・取り扱い企業： 日立Astemo＆ナガノ株式会社