接着・接合EXPO出展！OEM加工や高周波ウエルダーの相談受付

PR高周波トランジスター式ウェルダー『YRP－400T』を第8回「接着・接…

高周波トランジスター式ウェルダー『YRP－400T‐RC型』は、ハーネス加工やチューブ溶着・ボート溶着など小型で精密性を要する加工に適した高周波装置です。　 装置が軽量・小型なので、レイアウトの自由度も拡がり、スムーズで無駄のない動きを実現いたします。　 【特長】 ■予熱不要で即動作可能！ ■ソリッドステート高周波発振器を搭載 ■加熱コントロールをフィードバック制御 ■加圧に電動シ...

メーカー・取り扱い企業： 山本ビニター株式会社

アルミ製　水冷ヒートシンク「YCシリーズ」

PRアルミ型材により成形しているため、銅製と比べ3～4割の低コスト化を実現…

電気、電子機器に使用されている半導体素子(トランジスタ、CPU、IGBT 等)は、 動作中に冷却を行わないと素子から発生する熱のため素子そのものを破壊する場合があります。 ヒートシンクは、この熱をすばやく移動させ冷却することにより素子の破壊を防ぐ電子部品のラジエーターです。 冷却方法は、発生する熱により生じる空気の対流を利用した自然冷却と、ファンにより空気を強制的に対流させたり、水などの冷却媒...

メーカー・取り扱い企業： LSIクーラー株式会社

レポート　Intel 22nm Haswell eDRAM

Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです

T2、ハイエンドGT3等の様々な特色を持っています。GPU ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタ...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

レポート　ValleyView Atom Z3740 Soc

Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポート…

としています。 【特徴】 ■23740は9層メタル、デュアル・ゲートダイエレクトリック、22nm Socプロセスで製造されている ■デバイス：最小90nmピッチのHKMG FinFETトランジスタ ■シリコン拡散層部分：NMOSトランジスタに使われ、SiGeがPMOSトランジスタに使われる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

スイッチングノイズ解析 「モータスイッチングノイズの解析」

CPU内でスイッチングパルスを発生

モータがスイッチング動作時の伝導ノイズを検討。 CPU内に制御パルス源を設定。 ドライバトランジスタ、FETを駆動しモータに電流が流れる。 電源端子には基本波成分で-50dBVのノイズが確認できる。 【特徴】 ○CPU内でスイッチングパルスを発生 ○FETをスイッチング（SPICE...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エム・イー・エル