アルミ製　水冷ヒートシンク「YCシリーズ」

PRアルミ型材により成形しているため、銅製と比べ3～4割の低コスト化を実現…

電気、電子機器に使用されている半導体素子(トランジスタ、CPU、IGBT 等)は、 動作中に冷却を行わないと素子から発生する熱のため素子そのものを破壊する場合があります。 ヒートシンクは、この熱をすばやく移動させ冷却することにより素子の破壊を防ぐ電子部品のラジエーターです。 冷却方法は、発生する熱により生じる空気の対流を利用した自然冷却と、ファンにより空気を強制的に対流させたり、水などの冷却媒...

メーカー・取り扱い企業： LSIクーラー株式会社

接着・接合EXPO出展！OEM加工や高周波ウエルダーの相談受付

PR高周波トランジスター式ウェルダー『YRP－400T』を第8回「接着・接…

高周波トランジスター式ウェルダー『YRP－400T‐RC型』は、ハーネス加工やチューブ溶着・ボート溶着など小型で精密性を要する加工に適した高周波装置です。　 装置が軽量・小型なので、レイアウトの自由度も拡がり、スムーズで無駄のない動きを実現いたします。　 【特長】 ■予熱不要で即動作可能！ ■ソリッドステート高周波発振器を搭載 ■加熱コントロールをフィードバック制御 ■加圧に電動シ...

メーカー・取り扱い企業： 山本ビニター株式会社

【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料で...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価

ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります

市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バイポーラトランジスタの拡散層構造評価

ｐｎ判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能

市販LSI内のNPNバイポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっき...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…

■分析事例 　・炭素繊維強化プラスチック（CFRP）内部の繊維配向解析 　・発泡ウレタン内部の空隙率評価 　・発泡ゴムの引っ張り試験CT測定 　・電子デバイス内特異箇所の複合解析 　・トランジスタ内部の状態評価　など ※冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 　“カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 （ダウンロードいただけるPDF資料は目次部分のみとな...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

『TEMの基礎』『TEMの応用と事例』※希望者全員にプレゼント

高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM（透過電子顕微…

の使い分け　　　■超高分解能HAADF観察 <TEMの応用と事例> 　■分析事例 　　・雰囲気制御＆冷却下でのTEM分析 　　・SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価 　　・微細トランジスタの構造評価 ※小冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 　“カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 （ダウンロードいただけるPDF資料は冒頭の数ページとなります...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析

断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です

IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥（ライフタイム...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

試料断面における応力分布を確認することが可能です

のピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価

SCMによる特定箇所の拡散層評価

市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的な議論はできませんが、濃度の大小関係を大まかに知ること...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】微細トランジスタの構造評価

Csコレクタ付TEMによる高分解能TEM観察

TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例では市販のMPUトランジスタ部の高分解能(HR)-TEM観察とEDX元素分布分析を行ったデータを紹介します。3次元的な構造を持つFinFETのような微細な多層構造でも、Csコレクタ付TEMを用いることで素子の構造や元素分布...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】トランジスタ内部の状態評価

デバイス内部の異常を非破壊で評価します

外観検査では分からないデバイス等の故障原因を調査するために、X線CTをはじめとする非破壊による評価が必要となる場合があります。 X線CTを用いて不具合のあったトランジスタを測定し、内部の状態を確認しました。 その結果、ワイヤーの断線が確認された他、断線時の熱などの影響で断線したワイヤーの周囲のモールド樹脂が変性していることも分かりました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST