パッケージ | イプロスものづくり

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災害の先の安心を提供する非常用貯水槽『Multi Aqua C』

PR1本150Lの貯水タンクシステム！断水を伴う発災後ただちにひっぱくする…

『Multi Aqua C』は、断水を伴う災害直後の高鮮度の水の確保という課題をただちに解決する非常用貯水槽です。大規模災害の場合、発災後一定期間の帰宅抑制、事業場の災害拠点化を迫られます。その場合、ただちに直面するのが水の確保の問題です。一般的に電気、ガスに比べて復旧に時間のかかる断水復旧。『Multi Aqua C』は、企業のBCP対策、一時帰宅困難者対策としてもお使いいただけます。設置...
メーカー・取り扱い企業：株式会社テクノフレックス
マイクロフルート【2024中部パック出展！】

PR【4/17～中部パックに出展！】原紙使用重量を約10％削減！CO2排出…

『マイクロフルート』はコートボールに比べて、原紙使用重量は約10％削減し、年間CO2排出量は471.6kg削減。(ロット6,000で比較) また、軽量化で紙(資源)の削減に貢献し、強度アップで外箱のスペックを下げることもできます。中層函にぴったりの素材です。【メリット】 ■CO2排出量の削減 ■軽量化で紙の削減に貢献 ■強度アップで外箱のスペックを下げられる ■ダンボ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社クラウン・パッケージ
2SC2655 バイポーラトランジスタ TO-92Lパッケージ

東芝製トランジスタのセカンドソース品

内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。お気軽にお問い合わせください。型番：2SC2655 (TO-92Lパッケージ）【JSCJ社について】江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アクアス
2SC1815 バイポーラトランジスタ TO-92パッケージ

東芝製トランジスタのセカンドソース品

国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。お気軽にお問い合わせください。型番：2SC1815 (TO-92パッケージ）【JSCJ社について】江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アクアス
パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、T...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の…

当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
2SA812 バイポーラトランジスタ | セカンドソース

ルネサス製2SA812の代替品

国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。お気軽にお問い合わせください。型番：2SA812 (SOT-23パッケージ）【JSCJ社について】江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アクアス
BSS138 （SOT23）MOSFET | セカンドソース

onsemi製BSS138の代替品

国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。お気軽にお問い合わせください。型番：BSS138 (SOT-23パッケージ）【JSCJ社について】江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アクアス
BSS123（SOT23）MOSFET | セカンドソース

onsemi製BSS123の代替品

国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。お気軽にお問い合わせください。型番：BSS123 (SOT-23パッケージ）【JSCJ社について】江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アクアス
2SC1623 バイポーラトランジスタ | セカンドソース

ルネサス製トランジスタのセカンドソース品

内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。お気軽にお問い合わせください。型番：2SC1623 (SOT-23パッケージ）【JSCJ社について】江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アクアス
マルチ波長エミッタ

複数の発光素子をワンパッケージに！ご希望に沿ったカスタムが可能です！

理経が提供するMarktech社の『マルチ波長エミッタ』は複数の発光素子(2～7個)を一つのパッケージに実装しています。発光素子はUV～短波長赤外(SWIR)よりお選びいただけます。また、受光素子の実装も可能。 Si PD/InGaAs PDと組み合わせることで、複数の波長の光...
メーカー・取り扱い企業：株式会社理経
SWIRエミッタ（短波長赤外線エミッタ）

パッケージの種類も豊富！1,020 – 1,720nmまでのエミッタ(…

理経が提供するMarktech社のSWIRエミッタ（短波長赤外線エミッタ）は、 1,020～1,720nmの範囲で、CAN/表面実装/プラスチックスルーホールと様々なパッケージをラインアップしています。製品群一覧と特性の資料を下記よりダウンロード頂けます。発光側のみならず、広範囲の検出が可能なInGaAs PD、受発光一体型デバイスも取り扱っております。 ...
メーカー・取り扱い企業：株式会社理経
GBJ15 ブリッジダイオード | セカンドソース

単層4ピンのブリッジダイオード、主要メーカーのセカンドソース品

タ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。お気軽にお問い合わせください。型番：GBJ15 【JSCJ社について】江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司（JCET）のディスクリート半導体製造門が分社化されて誕生しました。 ※最新のデータシートをメーカーより...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アクアス
高出力IR光源 HISbasic

TO-39/TO-5パッケージの黒体放射源

Infrasolid社のHISbasicシリーズはリフレクタ構造により高効率の放射を実現した、黒体放射に近い放射特性を持つTO-39/TO-5パッケージエミッタです。広い波長範囲で幅広い用途に対応可能です。放射素子温度が600℃と低いため、長寿命です。他のCANタイプ、SMDエミッタの取り扱いもございます。詳しくは弊社担当まで。...

メーカー・取り扱い企業：オプトシリウス株式会社
UV-Cセンサ / UV-Cパワーモニター用フォトダイオード

UV-C光を用いた除菌、殺菌、消毒の照射パワーモニターに好適

UV-C帯域の紫外線（200～280nm）の光パワー測定に対応したシリコンフォトダイオードです。独自パッケージの採用により、低コストを実現しました。【特徴】 ■UV-C光の検出が可能 ■小型表面実装パッケージ 3.5x3.0mm ■鉛フリー ■半田リフロー対応 ■光学フィルターとの組み...

メーカー・取り扱い企業： YITOAマイクロテクノロジー株式会社
逆導通IGBT『600 V RC-D2』

低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提…

SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電...
メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向…

動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■ケルビン接触 ■5x6mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

ス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さ...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタン...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
高出力IR光源 HISpower

TO-8パッケージの高出力赤外線源

おける非常に高い放射パワーが特徴です。ハーメチックハウジング技術により、はんだ付けされたサファイア、CaF2、BaF2ウィンドウは過酷な環境下での使用も可能です。ハーメチックシールにより、パッケージ内に特殊な不活性ガスを充填可能。省エネルギー化を実現しました。他のCANタイプ、SMDタイプのIR光源の取り扱いもございます。詳しくは弊社担当まで...

メーカー・取り扱い企業：オプトシリウス株式会社
汎用MOSFET

汎用MOSFET(VDSS＝~60V、ID=～0.7A)ラインナップ紹…

DC-DCコンバータ、ロードスイッチ等が挙げられます。製品のスペックとしてはVDSS最大60V、ID最大0.7A、閾値電圧は0.5～2.0Vと様々な特性の汎用MOSFETとなります。またパッケージもSC-75A、SC-70、SC-59と超小型のパッケージも取り揃えておりますので、新規採用はもちろん、他社品のEOLに対する代替品としてもご検討可能です。一部、車載対応の製品もございますの...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社
ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　フルパックで0.1ohm…

アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
CMOS高速ロジックIC（ELM7SHシリーズ)

低電圧で超高速動作、低消費電力のため長時間の機器動作が可能

【概要】高速ロジックICとして、ELM7SHシリーズを提供しています。ELM7SHシリーズは単一ゲートのCMOS高速ロジックICです。パッケージは小型のSOT-25やSC-70-5(SOT-353)であり、必要な数だけを配置できるため、実装面積・配線距離を大幅に低減できます。また入力端子の保護回路は電源電圧側保護ダイオードが無い回路を...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エルムテクノロジー
Microsemi社　シリコンカーバイド製品ラインアップの紹介

使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！

能を発揮します。【特長】 ○カタログ標準品だけでなくお客様のアプリケーションに最適化した　カスタムモジュールの提案を行う ○カスタムモジュール開発においては、チップ、回路形態、パッケージ形態、　放熱素材、で多様な選択肢を用意 ○お客様の要望に最適なモジュールの設計提案～量産供給を行う詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業：リチャードソン・アールエフピーディー・ジャパン株式会社
パワー半導体専業メーカー：Potens(ポテンツ)

お客様ニーズに応じた技術サポートを実施するパワー半導体専業メーカーで日…

ブレスのメーカーになりますが、日本人スタッフが多数在籍しておりますので日本語による対応が可能で、日系企業での実績も豊富です。他社からの置き換えをお考えの方・低オン抵抗品をお探しの方・パッケージラインナップが豊富なメーカーをお探しの方がおられましたらお気軽にお問い合わせ下さい。【特長】・豊富なパッケージ品種と12Vから1,500Vまでの幅広い耐圧製品で950品種以上を展開・...

メーカー・取り扱い企業：ミカサ商事株式会社
パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨　Siチップサイズ：200um～15mm ・IR-OBIRCH解析：　～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
パワーデバイスのトータルソリューションサービス

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

モニター　チャネル数　120チャネル ■パワーデバイスの分析・解析・パワーチップの故障解析・はんだ接合部の解析・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

電流検出機能 ■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■8x8mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバ…

電流検出機能 ■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ ■RDS(on)＝240mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■5x6mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

電流検出機能 ■0Vターンオフ用の統合ミラークランプ ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■5x6mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝55mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に適している ■ケルビン接触 ■8x8mm2の小さなPCB設置面積 ■底面冷却型DFNパッケージ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
APEC社製 MOSFET・IGBT

低耐圧から高耐圧まで豊富なMOSFET製品をラインナップ

onics Corp.)社は台湾のファブレスの半導体メーカーです。 1998年に設立され台湾におけるMOSFET・IGBTの専業メーカの先駆けとして成長してきました。 MOSFETは幅広い製品、パッケージを取り揃え、分野別の最適ソリューションを提供します。 OA機器、通信、産業、家電、パソコン、ディスプレイ等の多くの分野で採用されています。...
メーカー・取り扱い企業：株式会社カナデン本社
【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

ィスクリート IGBT ・高度なトレンチゲートフィールドストップ (TGFS) 技術・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ・RoHS対応・JEDEC 規格準拠サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。 ...
メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ
【Potens Semiconductor Corp】紹介ページ

ポテンツセミコンダクター社は2012年9月台湾にて設立された FAB…

の納期に有益な製品があります。製品ラインアップ　・MOSFET　　・IGBT　・Super Junction　・SiC　・Gan 納期ご相談ください。豊富なパッケージラインナップ。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ
バイポーラトランジスタ ELM2N5401FA

汎用高耐圧増幅用の PNP エピタキシャルプレーナ型トランジスタ

・小型パッケージのSC-70を採用しています。・高耐圧：BVceo = -160V です。・ELM2N5551FAとコンプリメンタリです。・Pb フリー、ハロゲンフリーです。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エルムテクノロジー
逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内…

Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ詳細：保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。利点： ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
窒化ガリウム次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

、高信頼性を確保した製品です。【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(max) ~ 480mΩ(max) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88、PQFN56　など ※詳しくはPDFダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

ート IGBT ・高度なトレンチゲートフィールドストップ (TGFS) 技術・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ・RoHS対応・JEDEC 規格準拠...
メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ
GaNデバイスハイエンドPC用ATX電源に

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

ワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
小型で高出力のIR光源 Infrasolid社HIS smd

2umから20umまでの幅広い波長範囲の小型IR光源

Infrasolid社のHIS smdシリーズは小型で強力なSMDパッケージの赤外線放射源です。ガス検査、呼気検査、スマートデバイスなど幅広い用途にお使いいただけます。独自の金ナノロッド構造により、広帯域で高効率の赤外線放射を提供します。必要のない波長域の出力...

メーカー・取り扱い企業：オプトシリウス株式会社
高周波トランジスタ

高周波トランジスタ(fT=1.1～8GHz)ラインナップ紹介！

発振回路やイメージセンサーの増幅回路などの高周波増幅用途に最適です。 fTが1.1GHz、4.5GHz、8GHzのラインナップを取り揃えており、SC-59、SC-70、SC-75Aの小型パッケージであるため、セットの小型化、高密度実装が可能です。また、高周波トランジスタは他社国内メーカーではEOLとなっている製品が多数ありますが、弊社では継続生産しておりますので、他社製品のEO...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社