セラミックス触媒による排気脱臭技術『セラ・ダイナミックス』

PR繰り返し使えて長寿命！自己再生能力を持つセラミックでカンタン悪臭対策！

『セラ・ダイナミックス』は、セラミック触媒を使用し、 排気などのニオイを強力脱臭できる技術です。 空調ダクトや排ガスダクトに設置するだけで、悪臭、油ミスト、有機溶剤を 強力に吸着、分解、無害化し、悪臭防止法・PRTR・近隣対策ができます。 30万～40万種と言われる臭気成分に幅広く対応可能。 用途や臭気成分などの条件に合わせて選べる製品ラインアップも魅力です。 【『セラ・ダ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ファインセラ

【NEW】カスタムクランパーAUW08＜M-Tech名古屋出展＞

PRエアを供給するとシャフトをアンクランプ、遮断するとシャフトをクランプ！…

新製品！カスタムクランパー エアを供給するとシャフトをアンクランプ、遮断するとシャフトをクランプ。 両端に追加されたリニアブッシュにより、スラスト荷重を受けることが出来ます。 カスタムクランパーをならいユニットに使用すれば、素子の配置パターン替えも容易になります。 高さ調整や位置決め、Z軸の落下防止用途、治具、ロボットハンドなど、様々な用途にご利用いただけます。 【使用例】 ■ワー...

メーカー・取り扱い企業： トークシステム株式会社

高温AIoTアプリケーションでの広範なデータ保持の実現

［ホワイトペーパー］高温状態でのデータ保持方法

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 AIoTアプリケーションがより過酷でよりリモートで全体的に困難な環境に移行するにつれて、NANDフラッシュでのデータ保持が重要な関心事になりつつあります。 高温環境でのAIoTアプリケーションは、データ保持の問題の影響を特に受けやすく業界が取り組むべき重要な問題になっています。 ...

メーカー・取り扱い企業： イノディスク・ジャパン株式会社

【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認さ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

4MビットFeRAM​「MB85R4M2T」

SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリ…

TSOPパッケージで提供しますので、SRAMを使用している産業機械、業務機器、医用機器では、設計基板を大幅に変更することなく、SRAMを本FeRAM​に置き換えることが可能です。それによって、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、そしてトータルコストの削減に貢献します。 ■主な仕様 ・容量（構成）： 4Mビット（256K×16ビット） ・電源電圧...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

【メモリ】SRAM　ラインアップ一覧

データは半導体メモリに保持され、メモリに電力が供給されている限り、デー…

『SRAM』は、各ビットを格納するために双安定ラッチ回路を使用する 半導体メモリの一種で、高速又は低消費電力を必要とする場合に使用されます。 トランジスタにはリークを抑えるための電力が不要なため、 定期的に更新する必要がありません。 SRAMの設計には、6つのトランジスタ(6Tメモリセル) で構成され、 コンデンサを使用しない一般的なCMOS技術プロセスが採用されています。 ...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

1Mb,4Mbの低電力非同期 SRAM (LPSRAM)

非常に優れた故障率、ソフト エラー率で幅広い環境でより信頼性の高い動作…

■エンベデッド ECC により、1 バイトあたり 1 ビットのエラー訂正 ■1.5Vのデータ保持電圧 ■典型的なデータ保持電流: ■1Mb AS6CE1016A で 1μA ■4Mb AS6CE4016B で 2μA ■2.7V～3.6Vの単一電源で動作 すべての入力と出力は完全に ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

不揮発メモリマクロ　PermSRAM（R)

不揮発メモリマクロ　PermSRAM（R)

AM同様のインターフェースで、SRAM並の高速な 　リード／ライト時間で使用する事が可能 ○65nm以降の最新のCMOSプロセス世代までの幅広いプロセスをカバー ○150度C以上の高温データ保持特性 ○テスト容易性を持つ ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社NSCore

1MビットFeRAM​「MB85RS1MT」

ウェアラブルデバイスの小型化・薄型化を実現する低消費電力の不揮発性メモ…

x 8ビット） ・インタフェース： SPI （Serial Peripheral Interface) ・動作電源電圧： 1.8V～3.6V ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（＋85℃） ・パッケージ： 8ピンWL-CSP、8ピンSOP...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4MビットFeRAM​「MB85RQ4ML」

ネットワーク機器の性能向上に貢献する、高速動作の不揮発性メモリ4Mビッ…

： 4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース： SPI /クワッドSPI ・動作電源電圧： 1.7V～1.95V （単一電源） ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（+85℃） ・パッケージ： 16ピンSOP...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

不揮発性メモリ 8MビットReRAM 「MB85AS8MT」

業界最小クラスの読出し電流により、補聴器、スマートウォッチなどに最適

・読出し動作電流：0.15mA（平均値、 5MHz動作時） ・ライトサイクル時間：10ms ・ページサイズ：256Byte ・書込み保証回数：100万回 / 読出し保証回数：無限回 ・データ保持特性：10年（+85℃） ・パッケージ：11ピンWL-CSP、 8ピン SOP...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4MビットFeRAM​『MB85RS4MTY』※資料4点進呈中

最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、…

・高速書き込みといった揮発性メモリの長所も備えています。 強誘電体にデータを記憶するという構造により、最大10兆回のデータ書き換え回数を実現。 また、書き込み時間が短いため消費電力が少なく、データ保持用の電流は不要です。 EEPROM、SRAMからの置き換えにより、様々な課題解決が期待できます。 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

強誘電体不揮発性メモリ『FeRAM​』

豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ

『FeRAM​（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッ...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

[開発事例] HSDIOとLabVIEWを使用したメモリ評価装置

安価なHSDIOとLabVIEW を使用したメモリ評価装置の開発

テム【HSDIO（PXIe-6545）】を基本ハードウェアとして採用し、パターン波形作成にはDigital Waveform Editor を使用することで試験時間の問題を解決しました。 2.記憶保持時間（リテンション時間）の測定 リテンション試験は【HSDIO（PXIe-6545）】とNI 製Script Editor を使用することで、任意のリテンション時間を複数設定できるようになり、測定...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ペリテック 神奈川エンジニアリングセンター、東京営業所、ベトナム事業所

不揮発性メモリ『MB85RQ8MLX』

54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI Fe…

発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社

4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NOR フラッシュメモリ

高速な読み取り、プログラム、消去時間によるパフォーマンスを向上！

計されています。 【利点(一部)】 ■シングル、デュアル、クワッド(AS25F316MQ-10S1IN)SPIモードで動作 ■100,000 回のプログラム/消去サイクルと20年間のデータ保持による 　信頼性の高い長期パフォーマンス ■均一な4KBまたは32KBまたは64KB消去 ■プログラム/消去の一時停止と再開 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくは、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

【メモリ】不揮発性メモリ　ラインアップ一覧

主に補助記憶装置として使用！高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリ…

『不揮発性メモリ』(NVRAM)は、電源供給を行わなくてもデータを 保持する半導体メモリです。 当製品は、主に補助記憶装置として使用。DRAMなどの揮発性メモリに 比べると書き換え速度や耐久性(消去・上書き回数の上限)が低いため、 高速なストレージ装置(SSD...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

【メモリ】フラッシュメモリ　ラインアップ一覧

トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係な…

『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 6...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

［ホワイトペーパー］iSLC ： ハイエンド市場 でのポジション

iSLCはコストとパフォーマンスのバランスを最適化するように設計された…

くか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ファームウェアテクノロジーは、MLC NANDフラッシュのフレームワークに基づいて構築されています。 MLC NANDフラッシュセルはセルごとに1ビットを保持するように作られ、SLC NANDフラッシュレベルで動作します。 iSLCはMLCとSLCテクノロジーのハイブリッドで、パフォーマンスはSLCに近く耐久性は大幅に向上します。 価格帯はMLC製品...

メーカー・取り扱い企業： イノディスク・ジャパン株式会社

1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ

古いデータを消去しながら、有効なデータを保存！信頼性の高い長期的なパフ…

・古いデータを消去しながら、有効なデータを保存できる ■信頼性の高い長期的なパフォーマンス ・100,000プログラム/消去サイクル—528バイトあたり4ビットECC付き ・10年間のデータ保持 ■9.0mmx11.0mmx1.0mmの63ボールFBGAパッケージで提供 ■工業用(-40°C～＋85°C)および車載用(-40°C～＋105°C)の温度範囲で利用可能 ■RoHS II対...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

【メモリ】SDRAM　ラインアップ一覧

CPUとメインメモリの間の待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向…

『DRAM』は、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで 情報を保持します。 RAMは種類によってCPUのクロックとメモリアクセスが非同期ですが、 SDRAMメモリは、同期している為、CPUとメインメモリの間の 待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

知っておきたいフラッシュ製品の寿命予測（3）

SSDやメモリカードの残存寿命や交換時期、エラーの兆候を稼働システム上…

＝寿命診断と寿命予測＝ 高いパフォーマンス性能とデータ保持性能、そして長期間の連続稼働でも安定動作を維持するために適切な機能と高度な技術を組合せ、搭載するシステムの用途・設置環境・書込み/読出し/消去サイクルへ最適化した製品を推奨しています。 NANDフ...

メーカー・取り扱い企業： スイスビットジャパン株式会社

【メモリ】強誘電体メモリ(FRAM)　ラインアップ一覧

フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価！高速書込み、高書換え回…

『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込ま...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

【メモリ】EPROM　ラインアップ一覧

チップ全体ではなくデータをブロック単位で消去できます

『EPROM』は、電源をオフにした後もデータを保持する 不揮発性ROMメモリの一種です。 紫外線を照射することにより、書き込み、消去が可能。 パッケージの上部に透明な石英の窓があるのが特長で、この窓から 紫外線を照射することで、EP...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

C-300/L 128MBから対応のコンパクトフラッシュカード

強力な電源断対策設計！幅広い設置環境を考慮して設計した製品ラインアップ…

ードモデルから選択可能。 柔軟なコンパチビリティ性能からブート機能、電源断対策、長期供給保証、固定BOMでの供給体制までも考慮した設計と高性能コントローラの採用により、保存したデータの信頼性を保持します。 【特長】 ■要求容量・長期供給性に合わせて3シリーズから選択可能 ■高信頼SLC NANDフラッシュ・コントローラ搭載 ■幅広い保証動作温度 ■ランダムアクセススピードの最適...

メーカー・取り扱い企業： スイスビットジャパン株式会社

SDインタフェース採用 産機向けeSD(Embedded SD)

産業機器向けSDカードの信頼性をオンボードストレージで実現！

からの置き換えで、データ保存用のNORメモリとしても兼用できるため、実装面積 &コストを削減 ・MLC/TLCタイプのNANDフラッシュメモリを搭載しているeMMCに比べても、 　NANDデータ保持能力などの信頼性で大きなアドバンテージを発揮 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： ハギワラソリューションズ株式会社

【技術資料】車載電子システムに潜むセキュリティリスク

「自動車メーカーが問うべきこと」など詳しく解説！※ゼロトラスト、メモリ…

CASE時代の車載電子システムではOTAの実装が必須になっており、このデータの終着点はフラッシュメモリとなります。 フラッシュメモリはファームウェアやデータのゴールデンデータを保持する半導体部品です。 昨今SoCへのハッキング事例が相次いでおり、この背景にはフラッシュメモリのリバースエンジニアリングや不正書き換えがあります。 OTAシステムでは、クラウドからTCU、セ...

メーカー・取り扱い企業： ウィンボンド・エレクトロニクス（Winbond Electronics Corp. Japan)　株式会社

iSLCーコストとパフォーマンスのバランスNANDフラッシュ

［ホワイトペーパー］iSLC ： ハイエンド市場 でのポジション

か、お気軽にお問い合わせ下さい。 ファームウェアテクノロジーは、MLC NANDフラッシュのフレームワークに基づいて構築されています。 MLC NANDフラッシュセルは、セルごとに1ビットを保持するように作られSLC NANDフラッシュレベルで動作します。 iSLCはMLCとSLCテクノロジーのハイブリッドで、パフォーマンスはSLCに近く耐久性は大幅に向上します。 価格帯はMLC製...

メーカー・取り扱い企業： イノディスク・ジャパン株式会社