チップ抵抗ネットワーク1005×4

PR実装コストの低減を実現！電極が凸型形状のチップ抵抗ネットワーク

当製品は、電極が凸型形状のチップ抵抗ネットワークです。 部品搭載回数の減少による実装コストの低減を実現。 最高使用電圧は25V、定格電力は1/16Wです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【仕様(抜粋)】 ■素子数：4 ■回路記号：D（独立回路） ■包装数量：10,000 アイエイエム電子ではチップ抵抗ネットワークを始め各種厚膜チップ抵抗器を製造販売しております。 ※詳...

メーカー・取り扱い企業： アイエイエム電子株式会社

【お役立ち情報】アルミナ代替　複合材料SA701

PR大型アルミナ部品でお困りのお客様へ － その問題、セラミックス複合材料…

半導体製造装置関連の市場拡大に伴い、セラミックスの調達問題が発生しております。特に大型アルミナ部品は供給元が限られ、長納期化により装置開発スケジュールに影響がでております。 セラミックス金属複合材料SA701は、アルミナに比べヤング率や曲げ強度は若干劣りますが、破壊靭性値が高く割れにくい材料であり、ハンドリングが容易です。密度はアルミナの約3/4と軽く、直ネジを加工できるため、金属ブッシュを必要...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

株式会社東京抵抗社　事業紹介

電子・電気部品単品から金属系加工物等、幅広い商品をご提供いたします。 …

株式会社東京抵抗社は、電子・電気部品単品から モジュール製品・各種ＬＥＤ応用・照明製品・金属系加工物等、 幅広く手掛ける企画・提案型の総合商社です。 エレクトロニクス製品の専門商社として "サービスと真...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社東京抵抗社

パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

『CGD65A130S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーM…

『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

窒化ガリウム 次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

9を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(max) ~ 480mΩ(max) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88、PQF...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

パワーデバイスのトータルソリューションサービス

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験 　定電流600A　max.(Vce=10V) 　同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応　液槽熱衝撃試験 　温度範囲　-65℃～150℃、-40℃～180℃ 　液媒体　Galden D02TS/D03 　試料かご（最大）　W320ｘH240ｘD320(...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

【主な利点】 ■伝導損失の低減 ■高電流対応 ■優れた熱性能 ■ヒートシンクへの熱抵抗の最小化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

BOURNS社は世界で初めて抵抗トリマー（Trimpot）を開発したメーカーとして知られ、 1947年の設立以来、市場のニーズに応え豊富な種類の電子部品を開発し続け目覚ましい成長を遂げてきました。 戦略的買収なども積極的に行い、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB)

【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルNチャンネルのELM43400CB は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路に...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA)

【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

シングルパワーMOSFETシリーズは、低入力容量、低電圧駆動、低ON抵抗という特性を備えた大電流MOSFETです。 シングルPチャンネルのELM43401CA は低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 保護回路に...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　 フルパックで0.1ohm…

ロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

『CSD22206W』

8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD2…

この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　エミッション解析：～2kV　まで対応 　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し 　リーク不良箇...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デ…

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋...

メーカー・取り扱い企業： アールエスコンポーネンツ株式会社

モジュール『WF101JSYAHMNB0』

CTP付！ILI2511を内蔵しUSB、I2Cインターフェイスに対応し…

『WF101JSYAHMNB0』は、投影型静電容量タッチパネルを搭載しており、 輝度は900ニット(Typ.)のモジュールです。 オプションで抵抗膜方式タッチパネル及び高輝度タイプもラインアップ。 EK79007AD3とEK73217BCGAドライバICを内蔵し、 4-レーン MIPI DSIインターフェイスをサポート致します。 ...

メーカー・取り扱い企業： グローバル電子株式会社

GaNデバイス ハイエンドPC用ATX電源に

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

クノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

ロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

ロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネー…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

パワー半導体専業メーカー：Potens(ポテンツ)

お客様ニーズに応じた技術サポートを実施するパワー半導体専業メーカーで日…

台湾に本社を置くファブレスのメーカーになりますが、 日本人スタッフが多数在籍しておりますので日本語による対応が可能で、 日系企業での実績も豊富です。 他社からの置き換えをお考えの方・低オン抵抗品をお探しの方・パッケージラインナップが豊富なメーカーをお探しの方がおられましたらお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ・豊富なパッケージ品種と12Vから1,500Vまでの幅広い耐圧製品で95...

メーカー・取り扱い企業： ミカサ商事株式会社

【解析レポート】デンソー製パワーカードモジュール

チップサイズは自動車用途として最大クラス！200Aクラスの駆動電流で低…

当資料は、『2021 デンソー製パワーカードモジュール,SiC-MOSFETチップ』 の解析レポートです。 本製品は、2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーター パワーモジュールに採用されているSiC-MOSFET搭載のパワーカードです。 昇圧コンバータは、出力電圧Vo＝650Vおよび入力電流Iin＝570Aです。 【掲載概要（抜粋）】 ■製品、解析概...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック

NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR

オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター

MOSFET ・極性：ユニポーラ ・ドレインーソース電圧：60V ・ドレイン電流：20A ・電力損失：60W ・ケース ：DPAK ・ゲートーソース電圧：±15V ・ON抵抗値：39mΩ ・マウント：SMD ・ゲート電荷：32nC ・梱包種類：リール, テーピング ・チャンネル種別：強化された...

メーカー・取り扱い企業： Transfer Multisort Elektronik株式会社

次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

9を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88　　など...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

GaN パワーデバイス サーバー用電源

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

高信頼性 GaN パワーデバイス

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE20N60　20A, 600V POWER MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【構造・プロセス解析レポート】デンソー製 SiC-MOSFET

搭載チップはトレンチゲートを採用！電流センサーと温度センサー内蔵の12…

21年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーターにデンソー 内製としてSiC-MOSFETが採用、搭載されています。 SiC-MOSFETチップは200Aクラスの駆動電流で低ON抵抗（LTECで測定）と なっており、チップサイズは自動車用途としては最大クラスです。 【掲載概要（抜粋）】 ■製品、解析概要 ■レポート内容 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック

『CSD18541F5』

60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD1854…

プリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信号MOSFETをこのテクノロジに置き換えることで、 フットプリントサイズを大幅に低減できます。 【特長】 ■低オン抵抗 ■きわめて低いQgおよびQgd ■超小型フットプリント：1.53mm×0.77mm ■低プロファイル：高さ0.35mm ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社