資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】

PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能！石英ガラス、純モ…

拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。 接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。 また、塑性変形の発生を抑えることもできます。 拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。 ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。 【拡散接合実績材質】 ・アル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トップ精工

ＳｉＣコーティング装置（ＡＦ－ＩＰ装置）

緻密で耐摩耗性と耐酸化性に優れたＳｉＣ（シリコンカーバイド）膜をＰＶＤ…

新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったＰＶＤ法による」ＳｉＣ成膜を実現。 ４００℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたＳｉＣ膜を形成可能とした新成膜技術を採用。 個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。 膜厚や膜質の制御性も高くＣＶＤに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニン...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店

イットリアコーティング装置（ＡＦ－ＩＰ装置）

耐プラズマ性に優れたイットリア（Ｙ２Ｏ３）膜をＰＶＤ法で形成。 新開…

新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により緻密な酸化膜の厚膜（１０μｍ）を低温で形成 半導体製造装置部品に対応した優れた耐プラズマ性をもつイットリア膜の成膜に対応。 イオンプレーティング法によるシンプルなプロセスで緻密な膜質を実現。 イットリア膜だけでなくＳｉＣやＴｉＣ、ＣｒＮなどの各種反応膜を固体金属材料より形成可能。 独自開発イオンプレーティング法により表面処理の新たな用途...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店

アークフィラメント式イオンプレーティング装置　

緻密な酸化膜厚膜（～１０μｍ）を高速形成。新開発イオン化機構搭載　Ｃ…

緻密で耐プラズマ性の高いイットリア膜やＳｉＣ膜を高速形成。 高密度プラズマによる反応性プロセスによりCVDより低温で溶射法より緻密な膜質を実現。 半導体関連部品にも応用可能なクリーンな成膜プロセスを実現。 PVD法のため装置のメンテナンスも容易で低コスト。 絶縁膜（酸化膜・炭化膜）を高速形成。緻密な厚膜を高速形成。従来型のイオンプレーティング法の弱点を克服。 新たな表面機能を生み出す用途...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店