各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール！4-8…

『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

メーカー・取り扱い企業： プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

【お役立ち情報】アルミナ代替　複合材料SA701

PR大型アルミナ部品でお困りのお客様へ － その問題、セラミックス複合材料…

半導体製造装置関連の市場拡大に伴い、セラミックスの調達問題が発生しております。特に大型アルミナ部品は供給元が限られ、長納期化により装置開発スケジュールに影響がでております。 セラミックス金属複合材料SA701は、アルミナに比べヤング率や曲げ強度は若干劣りますが、破壊靭性値が高く割れにくい材料であり、ハンドリングが容易です。密度はアルミナの約3/4と軽く、直ネジを加工できるため、金属ブッシュを必要...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

PLAD-221-Y PLDシステム

PLAD-221-Y PLDシステム

PLAD-221-Y PLDシステムはNd:YAGレーザを用いたPLDです。 独自の回転式SiC基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは20mm径を４個有し、自転および公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。...

メーカー・取り扱い企業： AOV株式会社

PLAD-271PE PLDシステム

PLAD-271PE PLDシステム

PLAD-271PE PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜（レーザショット数、ターゲット切替等々）を簡易に行えます。 独自の回転式SiC基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは20mm径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。...

メーカー・取り扱い企業： AOV株式会社

PLAD-250R PLDシステム

PLAD-250R PLDシステム

PLAD-250R PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜（レーザショット数、ターゲット切替等々）を簡易に行えます。 独自のSiC式回転基板加熱により、基板面上で800度以上の加熱が行えます。 ターゲットは1 inch径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。...

メーカー・取り扱い企業： AOV株式会社

PLAD-261PG PLDシステム

PLAD-261PG PLDシステム

PLAD-261PG PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜（レーザショット数、ターゲット切替等々）を簡易に行えます。 独自のSiC式回転基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは1inch径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。...

メーカー・取り扱い企業： AOV株式会社