資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】

PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能！石英ガラス、純モ…

拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。 接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。 また、塑性変形の発生を抑えることもできます。 拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。 ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。 【拡散接合実績材質】 ・アル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トップ精工

SiC半導体製造用機能部品

2000℃以上のSiCプロセスに対応可能な単結晶成長およびCVD用部品…

Momentiveの『タンタルカーバイドコーティング』は、SiC単結晶成長炉、エピタキシャル装置の部品として多くの実績を有しており、『静電チャック』はSiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で使用されています。 【特長】 ■タンタ...

メーカー・取り扱い企業： モメンティブ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社

【用途例】スパッタリングターゲット　複合材料SiC/Si

SiC/Si複合材料をターゲット材としてご使用頂いております。

Si合金にSiCセラミックス粒子を含有させた複合材です。 結晶性Siよりも曲げ剛性が高く、使用途中の割れ、チッピング等の発生がなく最後まで安定した成膜が可能となります。 結晶性Siターゲットの1.3倍...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃

超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全て…

基板回転 ◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加（逆スパッタ） ◉ 使用環境に応じたエレメントの選択： グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ ◉ K, C,...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S060】

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの…

性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

【MiniLab-SA125A】 多元マルチスパッタ装置

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用）…

連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

スパッタリング装置 多機能スパッタ装置MiniLab-S060A

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの…

スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

多元マルチスパッタ装置【MiniLab-S125A】

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用）…

連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社