• 資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】 製品画像

    資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】

    PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!

    エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...

    メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】

  • 解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』 製品画像

    解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

    PR複雑する装置仕様を見える化!受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

    機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様(動き)の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。  【資料概要】   ■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化   ■仕様説明時における取組と課題、目指す姿   ■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果   ※ 本ページのPDFダウンロード...

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    メーカー・取り扱い企業: i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD(3次元CAD)開発元 -

  • 石英ガラス 高純度アニール炉 製品画像

    石英ガラス 高純度アニール炉

    熱源はSiCヒーターを採用!高いクリーン性能を実現した高純度アニール炉

    大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、 お客様のご要望に応じて専用設計いたします。 【特長】 ■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現 ■熱源はSiCヒーターを採用し温度分布性能の向上を図る ■対象製品の大きさに合わせて専用設計が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: アドバンエンジ株式会社

  • フラッシュランプアニーリング装置 FLA 製品画像

    フラッシュランプアニーリング装置 FLA

    半導体など各種材料に!数ミリ秒から数百ミリ秒の超短時間でアニーリング可…

    y Siの結晶性の向上 ○インクジェットによる半導体材料、超薄金属膜、シリコンナノ粒子のアニーリング処理 ○Si、Ge、Sn等のナノクリスタルの形成 ○ローカルメルティング-再結晶化/FLASiC(SiC on Si) ○ドーパントの活性化(SiC/GaAs) ウルトラシャロージャンクション(Si) ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社マツボー

  • MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃  製品画像

    MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃

    SiC3, TiC3コーティングヒーター採用:様々なプロセス環境に対応…

    ■Max2000℃(真空中1x10-5Torr, N2, Ar) ■3種類のヒーター材質: ・高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ・SiC3(炭化珪素)コーティング:Φ4〜Φ8inch ・TiC3(チタン・カーバイド)コーティング:Φ4〜Φ8inch ■使用雰囲気: ・真空・不活性ガス(グラファイト) ・還元雰囲気(TiC3...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』 製品画像

    アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』

    Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

    ロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • セントロサーム 超高温バルクアニール炉 製品画像

    セントロサーム 超高温バルクアニール炉

    超高温熱処理と優れた温度均一性の実現により、ブール・インゴット、ウエハ…

    など豊富なラインナップを取り揃えており、太陽電池や半導体分野の熱処理工程に貢献しています。 日本国内では、2006年から伯東株式会社が総代理店として同社製品の販売と保守サービスを担ってきました。SiCパワーデバイスやMEMSセンサーをはじめとした大手デバイスメーカーの量産シーンで多数実績があります。...

    メーカー・取り扱い企業: 伯東株式会社 本社

  • スーパータル シングルウェハーリアクター 製品画像

    スーパータル シングルウェハーリアクター

    電子・半導体業界用!1枚のウェハー製造用ヒーターモジュール

    従来のシリコンデバイス用途のみならず、シリコン系パワーデバイス(IGBT)の熱処理用途や化合物半導体(GaN、SiC)のアニール処理、エピ成長装置としてご検討下さい。 ...

    メーカー・取り扱い企業: アレイマジャパン株式会社 カンタルカンパニー

  • アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』 製品画像

    アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』

    SiC3, TiC3コーティングヒーター採用:様々なプロセス環境に対応…

    ◉Max2000℃(真空中1x10-5Torr, N2, Ar) ◉3種類のヒーター材質: ・高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ・SiC3(炭化珪素)コーティング:Φ4〜Φ8inch ・TiC3(チタン・カーバイド)コーティング:Φ4〜Φ8inch ◉使用雰囲気: ・真空・不活性ガス(グラファイト) ・還元雰囲気(TiC3...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

  • ◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置 製品画像

    ◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

    Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板…

    ロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)...

    メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社

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