資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』

PR“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール！4-8…

『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スルー...

メーカー・取り扱い企業： プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S060】

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの…

性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

【MiniLab-SA125A】 多元マルチスパッタ装置

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用）…

連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

PLAD-221-Y PLDシステム

PLAD-221-Y PLDシステム

PLAD-221-Y PLDシステムはNd:YAGレーザを用いたPLDです。 独自の回転式SiC基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは20mm径を４個有し、自転および公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。...

メーカー・取り扱い企業： AOV株式会社

立体形状への成膜加工

平面モノだけでなく、立体モノへの成膜もできます！ご希望の成膜箇所をお聞…

3、SiO2、TiO2、Cr2O3、ITO、MgO、NbO、Ta2O5、WO3、ZrO2、ZnO　など 　窒化膜：AlN、BN、CrN、MoN、NbN、SiN、TaN、TiN　など 　炭化膜：SiC、TiC、BC　など ※使用装置によって変わりますので、ご相談ください。 ■最大搭載可能サイズ：800×1000mm ※小型装置から大型装置まで幅広く保有しております。 ■対応可能...

メーカー・取り扱い企業： 東邦化研株式会社

スパッタリング装置 多機能スパッタ装置MiniLab-S060A

コンパクト、60ℓ容積チャンバーにスパッタ・蒸着・EB・アニールなどの…

スパッタリング プラズマエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

多元マルチスパッタ装置【MiniLab-S125A】

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用）…

連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） ...

メーカー・取り扱い企業： テルモセラ・ジャパン株式会社

PLAD-271PE PLDシステム

PLAD-271PE PLDシステム

PLAD-271PE PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜（レーザショット数、ターゲット切替等々）を簡易に行えます。 独自の回転式SiC基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは20mm径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。...

メーカー・取り扱い企業： AOV株式会社

PLAD-250R PLDシステム

PLAD-250R PLDシステム

PLAD-250R PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜（レーザショット数、ターゲット切替等々）を簡易に行えます。 独自のSiC式回転基板加熱により、基板面上で800度以上の加熱が行えます。 ターゲットは1 inch径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。...

メーカー・取り扱い企業： AOV株式会社

PLAD-261PG PLDシステム

PLAD-261PG PLDシステム

PLAD-261PG PLDシステムはエキシマレーザとの制御により自動成膜（レーザショット数、ターゲット切替等々）を簡易に行えます。 独自のSiC式回転基板加熱により、基板面上で850度以上の加熱が行えます。 ターゲットは1inch径を6個有し、自転およびプログラム式公転により、ターゲット上の照射が均一になる様に補正されます。...

メーカー・取り扱い企業： AOV株式会社