資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

Smart LCDC【組込機器へ液晶を搭載されたいお客様に】

PR「液晶」「LCDコントローラIC」でお困りのお客様、お気軽にご相談下さ…

◆必見◆ ・LCDコントローラICの入手でお困りのメーカー様 ・他社製LCDコントローラICの生産中止等でお困りのメーカー様 ・液晶の生産中止や仕様変更などでお悩みのメーカー様 〇小ロット、長期生産のお客様向けの製品です。 〇液晶の生産中止、LCDコントローラICのデバイスの生産中止に対して強力な解決案となっています。 〇弊社製品は基本的に1pcsからご購入可能です。 【S...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社ケニックシステム 東京オフィス

SiC インバータ実験セット　HEK-INV-A

すぐに動作実験が可能なSiC インバータセット

SiC 三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100V を投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM 製SiC-MOSFETを6 個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVA での動作が可能です。24V の制御電源とサンプルソフトが付属します。 【特長】 ■すぐに動作実験が可能なSiC インバータセッ...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

SiC Hブリッジ回路ブロック　HGCB-4A-401200

SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能！ 多彩な回路方式…

本製品はローム社製トレンチ型SiC「SCT3030AL」を搭載した、実験用のHブリッジ（単相インバータ）回路です。HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

【Bourns】SiCショットキーバリアダイオード＊低損失高効率

高速かつ高耐圧で、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に最適で…

高度なパワーコンポーネントは、高いピーク順方向サージ能力、低い順方向電圧降下、熱抵抗の低減、 および電力損失の低減を必要とするコンバータなどのアプリケーションに最適。高効率を実現します。 SiCショットキ―バリアダイオードは、高速かつ高耐圧で 損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用いただけます。 ◇特徴 ・低電力損失、高効率 ・低い逆方向リーク電流 ・高ピーク順方向サージ電...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

Al-SiC ヒートシンクプレート（放熱基板）

材料にSiC にアルミニウムを高圧含侵させたAl-SiCを採用！ 低…

こちらは湖南ハーベストテクノロジー社（中国 製）の Al SiC ヒートシンクプレートです。 湖南ハーベストテクノロジー社は中国長沙市にて 2007 年創業のAl-SiC を中心とした金属複合材メーカーです。 IGBTモジュール用の Al-SiC...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社双葉機工

炭化ケイ素　SiC

炭化ケイ素（SiC）はJFCにお任せください

耐食性に優れ、液中での摺動特性が良好な炭化ケイ素を、原料調合から焼成・加工・検査まで、弊社独自の技術により社内一貫生産しております。 少量試作から量産まで、ご要望にお答えいたします。 【特長】 ●他のファインセラミックスと比べ、高温域（1000℃以上）での機械強度の低下が小さく、耐摩耗性に優れる ●共有結合性が強いため、ファインセラミックスの中では最も硬く、耐食性に優れ、液中での摺...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

SiC MOSFET FMG50AQ120N6

高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリ…

50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L Package(Isolated)...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

SiCモジュール『EOシリーズ』

電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に 開発された SiCモジュールです。 銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、 高い信頼性と長寿命設計が特長です。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

絶縁IGBT/Sicドライバ向け　強化絶縁型DC/DCコンバータ

非対称出力が可能で、最大8kVDCの高絶縁耐圧。短絡保護オプション有り…

『RxxP2xx/Rシリーズ』は、医療規格に対応した絶縁IGBT/Sicドライバ向け強化絶縁型DC/DCコンバータです。 非対称出力が可能で、豊富なバリエーションを取り揃えております。 EN/UL60950-1、EN61010認証取得済みで、動作温度範囲は-40～85℃に対応しております。 【特長】 ■非対称出力が可能 ■6.4kVDCまたは8kVDCの高絶縁耐圧 ■短絡保護オプシ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

ME-SiCパワーモジュール

SiCの特性により完成されたSiCパワーモジュール

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-SiCパワージュール-家電用600V/15A・25A超小型フルSIC DIPIPMは、電力損失の提言； 高温度動作； 高速スイッチング動作；高い放熱効果というSiCの特性を生かして製造された。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

SiCモジュール『HPDシリーズ』

高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された 三相水冷式SiCモジュールです。 銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。 また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗（RDC≦0.1mΩ）を 実現します。 【特...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス＆ストレージ】

産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電…

東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低...

メーカー・取り扱い企業： マウザーエレクトロニクス

SiCモジュール『ED3Sシリーズ』

「ED3パッケージ」の2/3サイズに、ED3同等のパワーを提供

『ED3Sシリーズ』は、モータ制御やDC-DCコンバータ等用に開発された SiCモジュールです。 「ED3パッケージ」の3分の2のサイズながら、同等のパワーを提供可能。 また、低寄生インダクタンス設計による高速スイッチングが行えます。 【特長】 ■銀焼結及び高...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

炭化ケイ素（SiC）エピタキシー装置の世界市場シェア2024

炭化ケイ素（SiC）エピタキシー装置の世界市場：メーカー、地域、タイプ…

グローバル市場調査レポート出版社であるQYResearchは「世界の炭化ケイ素（SiC）エピタキシー装置の供給、需要、主要メーカー、2024 ～ 2030 年レポート」レポートには、世界市場、主要地域、主要国における炭化ケイ素（SiC）エピタキシー装置の販売量と販売収益を調査してい...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

ME-Sic SBD

Sicの特性により製造されるSic SBD

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-SiC SBDは、Sicの特性である、JBS構造による高信頼性；高温度動作；高速スイッチング動作；高い放熱効果を生かして完成された。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

ME-超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFC

家電用超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFCである

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-家電用超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFC については、DIPPFCは、インバータ機器の電源高調波抑制、力率改善(PFC)用の昇圧チョッパ回路、及び駆動ICをトランスファーモールドパッケージに搭載したIPMで、ワイドバンド...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

【新製品まとめて紹介】エンジニアリングセラミックス

【新製品】高靭性SiN、高純度SiC、カーボン分散SiC

エンジニアリングセラミックス】 ■炭化ケイ素　■窒化ケイ素　■アルミナ　■ジルコニア 【金属セラミックス複合材料MMC】 ■SAシリーズ 鋳造(SA301、SA401) アルミニウムにSiCセラミックス粒子を30～40vol％含有させた複合材料 ■SAシリーズ 浸透(SA701) SiCセラミックス多孔体(70vol％)にアルミニウムを含浸させた複合材料 ■SSシリーズ 浸透(...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

株式会社トップ精工 事業紹介

セラミックス、石英ガラス、高融点金属などの素材選定のご提案から新製品開…

、耐摩耗性 ○ジルコニア (ZrO2) ：耐摩耗性、低熱伝導 ○窒化アルミ (AlN) ：高熱伝導率、絶縁性 ○窒化ケイ素 (Si3N4) ：絶縁性、耐熱衝撃性、耐摩耗性 ○炭化ケイ素 (SiC) ：絶縁性、高強度、高熱伝導率、耐腐食性 ○マシナブルセラミックス ：絶縁性、耐熱性、被削性 ○その他の複合素材 ex：MMC (SiC+Si)、CMC (SiC繊維+マトリックス) ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トップ精工

EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹…

ィブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

DC/DCコンバーター『RxxP22005Dシリーズ』

出力電力の共有の特別な機能！SiC MOSFETドライバーに好適。

『RxxP22005Dシリーズ』は特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。 モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。 こ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

【DC/DC】高絶縁耐圧と低い分離容量のDC/DCコンバーター

SiC及びIGBTドライバ用のDC/DCコンバータ

『RxxPxxyyDシリーズ』は、高絶縁耐圧と低い分離容量を誇ります。 SiCドライバの場合は+ 20/-5V及び+ 15/-3Vの非対称出力、 IGBTドライバの場合には+ 15 / -9V非対称出力です。 5、12、15、24vの入力電圧があり、連続短絡保護搭載...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

【DC/DC】高絶縁耐圧と低い分離容量のDC/DCコンバータ

SiC及びIGBTドライバ用のDC/DCコンバータ

『RxxPxxyyDシリーズ』は、高絶縁耐圧と低い分離容量を誇ります。 SiCドライバの場合は+ 20/-5V及び+ 15/-3Vの非対称出力、 IGBTドライバの場合には+ 15 / -9V非対称出力です。 5、12、15、24vの入力電圧があり、連続短絡保護搭載...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

DC/DCコンバータ『RxxP22005Dシリーズ』

出力電力の共有の特別な機能！SiC MOSFETドライバーに好適。

『RxxP22005Dシリーズ』は特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。 モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。 こ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

DC/DCコンバーター『RKZ-xx2005Dシリーズ』

SiC MOSFETドライバー用のDC/DCコンバータです。

『RKZ-xx2005Dシリーズ』は、特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。 モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。 こ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

オプトエレクトロニクス部品

光通信用バタフライパッケージや低速＆低コスト型HTCCパッケージなどを…

までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ＜Optica Platform＆サブマウント・ブレージングAssy メタル＋セラミック＞ ■CuW/ヒートシンク ■Al2O3,ALN,SiC基板 ■高信頼性薄膜技術 ■AuSn共晶パッド ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ

双方向のトポロジーに対応！より安く、よりシンプルで、より小さなシステム…

CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、 デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージの...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

FS3L400R10W3S7F_B11

EasyPACK 3B 950V TRENCHSTOP IGBT7およ…

7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■12...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

デッドタイムを最小化！アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上

オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチン...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

SiC、GaN、ダイヤモンド、酸化ガリウムを材料としたパワー半導体の特…

価と実用化」 ■体裁：B5判　414頁 ■定価：54,000円＋税 ■発行：エヌ・ティー・エス 序論　 次世代パワー半導体の研究開発動向 第1編　次世代パワー半導体の開発 　1章　SiCパワー半導体 　2章　GaNパワー半導体 　3章　ダイヤモンドパワー半導体 　4章　Ga2O3(酸化ガリウム)パワー半導体 第2編　次世代パワー半導体の実装技術と信頼性 　1章　パワー半...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エヌ・ティー・エス

【パンフレット進呈】2023年3月開催 製造業向けウェビナー5種

3月開催分　トリケップス製造業向け市場動向ウェビナー　『自動車の騒音と…

動車市場の成長と、リチウムイオン電池のリユース・リサイクルの動向』 →47,300円(税込) / 1名＊62,700円(税込) / 1口（3名まで） 3/3『電力変換回路・装置設計の基礎とSiC / GaNパワーデバイスの使い方・技術市場動向』 →49,500円(税込) / 1名＊62,700円(税込) / 1口（3名まで） 3/14『量子アニーリング入門：基礎から最先端まで』 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トリケップス

【資料】ゲートドライバー　テクニカルシート

IGBT用とSiC-MOSFET用のゲートドライバーの取り扱いについて…

料は、ゲートドライバーのテクニカルシートです。 「IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明」では、ドライバーの選定法や ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意などを掲載。 この他にも、「SiC-MOSFET用ゲートドライバー取り扱い説明」について ご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明 ・ドライバー...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

半導体製造用高温ヒータ、静電チャックおよび耐熱衝撃セラミックス

シリコン半導体・SiCおよびGaN製パワー半導体製造プロセスに対応。高…

パイロリティックボロンナイトライド（PBN）やタンタルカーバイドは高い耐熱性や耐腐食性を有し、 急速昇降温・超高温を容易に実現できるセラミックスです。 PBNは色々な形状に蒸着製造または加工が可能。 超高温ヒータや高温静電チャック、グラファイト保護コーティングもございます。 PBN機能部品は有機ELの製造プロセス、半導体単結晶成長プロセス、 その他の高温真空プロセスなどの改善に貢献します。 ...

メーカー・取り扱い企業： モメンティブ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社

小冊子『第2回 セラミックス入門～材料選定4つのキーワード』

4つの特性を基に材料選定のポイントを解説！技術ハンドブック第2弾を無料…

ルセラミックス＞ ◎「シェイパルHI Mソフト」 ◎「ホトベール」 ＜ファインセラミックス＞ ◎窒化アルミ(AlN) ◎アルミナ(AL2O3) ◎窒化珪素(Si3N4) ◎炭化珪素(SiC) ◎ジルコニア(ZrO2）　など ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。...

メーカー・取り扱い企業： ナラサキ産業株式会社 メカトロソリューション部　機能材料課

【電子部品、防衛システム】GeneSiC　会社案内

電子部品は低温で動作！再生可能エネルギー源の効率的な獲得を可能にします

産業および防衛システムの世界的な大手メーカー GeneSiC社の製品を使用することで、パフォーマンスと効率を高めています。 GeneSiCテクノロジーの製品は、さまざまな高電力システムでエネルギーを 節約するための重要な役割を果たします。 技術は再生可...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

【病院用】磁気・ICカードタイマーと関連製品

カードでスマートな入院ライフ！多機能、単機能、ランドリーなどのカードタ…

目的の用途やシーンに合わせてお選びください。 【ラインナップ】 （磁気カードタイマー） ■多機能：テレビ・冷蔵庫 ・電話・LAN(有線インターネット)の他 　ご要望の機能がございましたらお気軽にお問い合わせください。 　SCT-930R（縦型）、SCT-930RH（横型）（電流検知方式） 　SCT-930R-K（縦型）、SCT-930RH-K（横型）（通信制御方式） ■単機能...

メーカー・取り扱い企業： 三和ニューテック株式会社 本社

ゲート駆動用フォトカプラ『ACPL-352J』

高速伝達遅延と優れたタイミング・スキュー性能！

『ACPL-352J』は、5A出力インテリジェント・ゲート駆動用フォトカプラです。 ピーク出力電流が大きく動作電圧範囲が広いため、モータ制御および インバータ用途においてSiC/GaN MOSFETやIGBTを直接駆動するのに理想的です。 安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認証を受けた強化絶縁を提供します。 【特長】 ■最大ピーク出力電流：5...

メーカー・取り扱い企業： ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

大容量　半導体カーブトレーサ　CS-10000シリーズ

パワーデバイスの特性測定に最適！高速鉄道などで使われるパワーデバイスも…

【特長】 ○超大電流を必要とする、高速鉄道用インバータや、大規模太陽熱発電、風力発電などの 大容量パワーコンディショナに使用するIGBTやMOSFET、SiCを用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。 →CS-10800（最大ピーク電圧10kV）（最大ピーク電流8,000A） →CS-10400（最大ピーク電圧10kV）（最大ピーク...

メーカー・取り扱い企業： 岩崎通信機株式会社

Newson社製レーザ用スキャナシステム

デジタルクローズドループのサーボシステム！

【その他特長】 ■ミラーの材質選択可能：Si, BK7, FS, SiC ■3Dオンザフライ加工可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社インテック

導電性ダイヤモンド　コーティングサービス

従来方法では難しかった物質の分解や合成が可能です

【成膜仕様】 ■サイズ：Φ150mm（最大） ■基板：Si,SiC,Nb,Mo,Ti等 ■膜厚：～15μm ■結晶：多結晶ダイヤモンド ■抵抗率：10^(-2)～10^(-3)Ω・cm ■タイプ：P型 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、...

メーカー・取り扱い企業： DIAM株式会社

総合カタログ『絶縁デバイス』

アイソレーションアンプ・ゲートドライバーなどを多数ご紹介

SA205SF/ISA205DF 　・高機能アイソレーションアンプ　ISA218-RI 　・高性能アイソレーションアンプ　ISA219/ISA223　他 ■ゲートドライバー 　・120A SiCパワーモジュール用ドライバー　GDUSC12 　・大容量高速ゲートドライバー　GDU40 　・IGBT一体取付型ゲートドライバー　GDU51　他 ■DC-DCコンバータ 　・高耐圧DC-D...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

プレスフィット端子・ピン(線材)

自社オリジナルの圧造加工機で製造！お客様のコスト削減と利益創出が図れま…

います。 圧造加工では金属屑が発生せず、製品1個当りの加工速度を他の加工法よりも 上げることができ、お客様のコスト削減と利益創出が図れます。 民生・車載コネクタやIGBTモジュール、SiCモジュール用として、お客様の ご要望に応じた製品を作ることが可能です。ご質問等お気軽にご相談下さい。 【特長】 ■プレス加工：形状の自由度が高い為、幅広い形状に対応可能 ■線材加工：ロ...

メーカー・取り扱い企業： ファインネクス株式会社 本社、東京支店、大阪支店、名古屋支店、ベトナム工場、シンガポール営業所

【資料】電子・機械装置へのスペアー部品

部品メーカーの一例もご紹介！当社のスペアー部品取扱製品の一覧を掲載して…

当資料では、アル株式会社の電子・機械装置へのスペアー部品の取扱製品を ご紹介しております。 「真空ゲージ,真空スイッチ,イオンゲージ」をはじめ、「ベアリング」 「拡散ポンプ,クライオポンプ」「スロットルバルブ,シリンダ」などの 部品メーカーの一例も掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【取扱製品】 ■He-Neレーザー,YGAレーザー,Arレーザー,UVレーザー,エキシマレーザ...

メーカー・取り扱い企業： アル株式会社 本社

パワーモジュール用パッケージの市場調査報告書

パワーモジュールのパッケージング市場は、2033年までに年平均成長率9…

によってもたらされます。 例えば、2018年1月、三菱電機株式会社は、1.7kVから6.5kVまでの定格の他のパワー半導体モジュールの中で最も高い電力密度を提供すると考えられる6.5kVフルSiC（シリコンカーバイド）パワー半導体モジュールを開発したと発表した。このモジュールは、高圧鉄道車両や電力系統の電源装置の小型化、省エネルギー化につながると期待されています。 また、さまざまな産...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

RF GaN（高周波窒化ガリウム）市場調査報告書

RF GaN市場は、予測期間（2023年～2033年）において、年平均…

窒化ガリウム（GaN）技術の継続的な進化により、GaNはフェーズドアレイ、レーダー、ケーブルテレビ（CATV）のベーストランシーバー局、VSAT、防衛通信など、より複雑なアプリケーションでより高い周波数を可能にしつつあります。 5G技術に関する企業の投資の増加は、市場の成長にさらに拍車をかけると予想されます。For Instance, According to Ericsson's Mobi...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-…

『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 リファレンスボード「BM60052-EVK-001」 同仕様品で、 実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。 当製品は、ローム株式会...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社