【コーター】小型塗工機、低価格、短納期、試作、選べる塗布方式

PRダイ、グラビア、ロールコート、ロールtoロールの装置を小型、低価格、短…

コアボックスジャパンはコーターやロールプレスなどの二次電池試作設備、 高機能フイルム関連のコーターなどの装置を低価格、短納期で提供します。 また、制御盤設計製作、制御システムの構築を得意とする電気部門があり、様々な装置の制御お任せください。 当社の『コーター』は、小規模な研究施設に適した小型のものから、 生産機まで幅広く対応しています。 塗布方式もお客様のニーズに適した提案をい...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社コアボックスジャパン

安全柵　『SATECH』 【低コスト＆スピード施工！】

PRJIS・ISO規格の解説資料進呈。豊富な製品シリーズから好適な安全柵を…

SATECHでは、ISO140001に準拠し、ISO13857に配慮した、多様な『安全柵』を取り揃えています。 ロボット・自動車・マテハン・工作機械・食品・製鉄他、各業界向けの安全フェンスとして使用可能です。 【SATECHの強み】 1.ISO/JIS規格に適合 2. 施工性 3. 低コスト 4.充実した製品ポートフォリオ 5. ISO14001・ISO9001認証取得済の本社工場で生産 【各...

メーカー・取り扱い企業： SATECH株式会社

2SC1815 バイポーラトランジスタ TO-92パッケージ

東芝製トランジスタのセカンドソース品

は、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SC1815 (TO-92パッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公司...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アクアス

2SC2655 バイポーラトランジスタ TO-92Lパッケージ

東芝製トランジスタのセカンドソース品

は、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SC2655 (TO-92Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電科技有限公...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アクアス

高信頼性GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタTO-247

汎用品向けのJEDEC規格高信頼GaN(窒化ガリウム)パワートランジス…

・650V Tjmax 150℃ ・Vth 4V ・TO-247...

メーカー・取り扱い企業： トランスフォーム・ジャパン株式会社

高出力IR光源 HISbasic

TO-39/TO-5パッケージの黒体放射源

Infrasolid社のHISbasicシリーズはリフレクタ構造により高効率の放射を実現した、黒体放射に近い放射特性を持つTO-39/TO-5パッケージエミッタです。 広い波長範囲で幅広い用途に対応可能です。 放射素子温度が600℃と低いため、長寿命です。 他のCANタイプ、SMDエミッタの取り扱いもございます。 詳し...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC 規格準拠 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

窒化ガリウム 次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(max) ~ 480mΩ(max) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88、PQFN56　など ※詳しくはPDFダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

GaNデバイス ハイエンドPC用ATX電源に

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

イスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC 規格準拠...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の…

当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用す...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

マルチ波長エミッタ

複数の発光素子をワンパッケージに！ご希望に沿ったカスタムが可能です！

約は大きな課題となっております。 Marktech社の「マルチ波長エミッタ」は複数の発光素子を1つの小型パッケージに 実装することで、小型化・省スペース化を実現致します。 パッケージもTO-5、TO-18、PLCC、表面実装と様々なパッケージをご用意しております。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

パワートランジスタ用ソケット

高電流、高温に対応

サイリスタ、トライアック、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体のテスト用ソケットです。高電流、高温対応でTO-220,TO-3Pを含む多くのTOパッケージに使用できます。 定格電流：30A 使用温度範囲：-55～+150℃...

メーカー・取り扱い企業： 日本コネクト工業株式会社

ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピー...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内…

Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細： 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点： ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さと...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　 フルパックで0.1ohm…

アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

SWIRエミッタ（短波長赤外線エミッタ）

パッケージの種類も豊富！1,020 – 1,720nmまでのエミッタ(…

また、シリコンウェハの検査など半導体の分野においても需要が高まっております。 製品検査、セキュリティ、監視、偽造防止、医療・ヘルスケアなど様々な用途で使用されています。 【パッケージタイプ】 ■TO CAN（メタル缶） ■表面実装 ■スルーホールタイプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

高出力IR光源 HISpower

TO-8パッケージの高出力赤外線源

Infrasolid社のHISpowerシリーズは高精度のガス検出やガスモニタリング、赤外分光法で使用可能なハイパワーで高効率の赤外線源です。 広い面積の放射エリアと広帯域の放射率により、中赤外における非常に高い放射パワーが特徴です。 ハーメチックハウジング技術により、はんだ付けされたサファイア、CaF2、BaF2ウィンドウは過酷な環境下での使用も可能です。 ハーメチックシールにより、パッケー...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ

AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガ…

・650V GaN ・TO-247 ・Vth 4V ・Tjmax 175℃ ・AEC-Q101...

メーカー・取り扱い企業： トランスフォーム・ジャパン株式会社

ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』

ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現！

】 ■SC-59 ・INKE111AC1 ・INKE211AC1 ■SOT-89 ・INKE211AP1 ・INKE211BP1 ・INKE211CP1 ・INK021ABP1 ■TO-92S ・INK021ABS1 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： イサハヤ電子株式会社

ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネー…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

IXDD609YI IXYS

IXDD609YI IXYS MOSFET/IGBTドライバ

・ケースTO220-5 ・出力電流：9A ・チャンネル数：１ ・供給電圧：4.5V〜35V ・マウント：SMD ・動作温度範囲：-40°C...

メーカー・取り扱い企業： Transfer Multisort Elektronik株式会社

GaN パワーデバイス サーバー用電源

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

イスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

高信頼性 GaN パワーデバイス

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

イスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88　　など ※詳しくはPDFダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE20N60　20A, 600V POWER MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォー...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社