【コーター】小型塗工機、低価格、短納期、試作、選べる塗布方式

PRダイ、グラビア、ロールコート、ロールtoロールの装置を小型、低価格、短…

コアボックスジャパンはコーターやロールプレスなどの二次電池試作設備、 高機能フイルム関連のコーターなどの装置を低価格、短納期で提供します。 また、制御盤設計製作、制御システムの構築を得意とする電気部門があり、様々な装置の制御お任せください。 当社の『コーター』は、小規模な研究施設に適した小型のものから、 生産機まで幅広く対応しています。 塗布方式もお客様のニーズに適した提案をい...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社コアボックスジャパン

安全柵　『SATECH』 【低コスト＆スピード施工！】

PRJIS・ISO規格の解説資料進呈。豊富な製品シリーズから好適な安全柵を…

SATECHでは、ISO140001に準拠し、ISO13857に配慮した、多様な『安全柵』を取り揃えています。 ロボット・自動車・マテハン・工作機械・食品・製鉄他、各業界向けの安全フェンスとして使用可能です。 【SATECHの強み】 1.ISO/JIS規格に適合 2. 施工性 3. 低コスト 4.充実した製品ポートフォリオ 5. ISO14001・ISO9001認証取得済の本社工場で生産 【各...

メーカー・取り扱い企業： SATECH株式会社

JSCJ社｜2SC1815 （TO-92）バイポーラトランジスタ

東芝製トランジスタのセカンドソース品

当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SC1815 (TO-92パッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長電...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アクアス

高信頼性GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタTO-247

汎用品向けのJEDEC規格高信頼GaN(窒化ガリウム)パワートランジス…

ハイパワー向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。 安全にドライブできるように高Vthとなっております。...・650V Tjmax 150℃ ・Vth 4V ・TO-247...

メーカー・取り扱い企業： トランスフォーム・ジャパン株式会社

高出力IR光源 HISbasic

TO-39/TO-5パッケージの黒体放射源

Infrasolid社のHISbasicシリーズはリフレクタ構造により高効率の放射を実現した、黒体放射に近い放射特性を持つTO-39/TO-5パッケージエミッタです。 広い波長範囲で幅広い用途に対応可能です。 放射素子温度が600℃と低いため、長寿命です。 他のCANタイプ、SMDエミッタの取り扱いもございます。 詳しくは弊社担当まで。...波長範囲：2-12 um パッケージ：TO-39 ...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

窒化ガリウム 次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

GaNデバイス ハイエンドPC用ATX電源に

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社はGaNの重要な特許はすべて保有。 GaN HEMTの開発及び、量産からアプリケーションまで自社で技術を保有。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済み。 高品質、高信頼性を確保した製品 日本国内での不具合解析、技術対応可能...トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。 ...＜特徴＞ ・FRD と一体形成され...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の…

当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

マルチ波長エミッタ

複数の発光素子をワンパッケージに！ご希望に沿ったカスタムが可能です！

理経が提供するMarktech社の『マルチ波長エミッタ』は複数の発光素子(2～7個)を 一つのパッケージに実装しています。 発光素子はUV～短波長赤外(SWIR)よりお選びいただけます。また、受光素子の 実装も可能。 Si PD/InGaAs PDと組み合わせることで、複数の波長の光センシングが 1つのパッケージで行えます。 使用する波長帯に関しましては、お気軽にご相談願い...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

パワートランジスタ用ソケット

高電流、高温に対応

サイリスタ、トライアック、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体のテスト用ソケットです。...サイリスタ、トライアック、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体のテスト用ソケットです。高電流、高温対応でTO-220,TO-3Pを含む多くのTOパッケージに使用できます。 定格電流：30A 使用温度範囲：-55～+150℃...

メーカー・取り扱い企業： 日本コネクト工業株式会社

ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内…

Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細： 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点： ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ■ ボードの複雑さを軽減し、ソリューショ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズのリ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　 フルパックで0.1ohm…

アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

SWIRエミッタ（短波長赤外線エミッタ）

パッケージの種類も豊富！1,020 – 1,720nmまでのエミッタ(…

理経が提供するMarktech社のSWIRエミッタ（短波長赤外線エミッタ）は、 1,020～1,720nmの範囲で、CAN/表面実装/プラスチックスルーホールと 様々なパッケージをラインアップしています。 製品群一覧と特性の資料を下記よりダウンロード頂けます。 発光側のみならず、広範囲の検出が可能なInGaAs PD、受発光一体型 デバイスも取り扱っております。 【特長】 ■動作電流は20m...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社理経

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

JSCJ社｜2SC2655 バイポーラトランジスタ

東芝製トランジスタのセカンドソース品

当社アクアスは、JSCJの国内主要販売店として各種電子部品を取り扱っています。 トランジスタ、MOSFETなどディスクリート品の代替品多数ございます。 お気軽にお問い合わせください。 型番：2SC2655 (TO-92Lパッケージ） 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製造の後工程（パッケージおよびテスト）受託企業（OSAT)として、 世界第三位（2017）の江蘇長...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アクアス

高出力IR光源 HISpower

TO-8パッケージの高出力赤外線源

Infrasolid社のHISpowerシリーズは高精度のガス検出やガスモニタリング、赤外分光法で使用可能なハイパワーで高効率の赤外線源です。 広い面積の放射エリアと広帯域の放射率により、中赤外における非常に高い放射パワーが特徴です。 ハーメチックハウジング技術により、はんだ付けされたサファイア、CaF2、BaF2ウィンドウは過酷な環境下での使用も可能です。 ハーメチックシールにより、パッケー...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ

AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガ…

車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。...・650V GaN ・TO-247 ・Vth 4V ・Tjmax 175℃ ・AEC-Q101...

メーカー・取り扱い企業： トランスフォーム・ジャパン株式会社

ツェナーダイオード内蔵型MOSFET『INKEシリーズ』

ツェナー内蔵によるサージ耐量UPと安定した高いアバランシェ耐量実現！

『INKEシリーズ』は、ドレイン・ソース間にツェナーダイオードが 接続(内蔵)されており、モーターやソレノイドドライブ時の 逆起電力からMOSFETを保護するツェナーダイオード内蔵型MOSFETです。 内蔵MOSFETの逆耐圧より低い逆耐圧のツェナーダイオードを内蔵する事で、 過電流/電圧がドレインに印加された際にツェナーダイオードを先に ブレークダウンさせ、内蔵MOSFETを保護。...

メーカー・取り扱い企業： イサハヤ電子株式会社

ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネー…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいた...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

IXDD609YI IXYS

IXDD609YI IXYS MOSFET/IGBTドライバ

IXDD609YI IXYS ローサイドゲートドライバは、超高速、高電流MOSFETおよびIGBTゲートドライバです。...・ケースTO220-5 ・出力電流：9A ・チャンネル数：１ ・供給電圧：4.5V〜35V ・マウント：SMD ・動作温度範囲：-40°C〜 + 125°C ・出力種別：非反転 ...

メーカー・取り扱い企業： Transfer Multisort Elektronik株式会社

GaN パワーデバイス サーバー用電源

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社はGaNの重要な特許はすべて保有。 GaN HEMTの開発及び、量産からアプリケーションまで自社で技術を保有。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済み。 高品質、高信頼性を確保した製品 日本国内での不具合解析、技術対応可能...トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

高信頼性 GaN パワーデバイス

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社はGaNの重要な特許はすべて保有。 GaN HEMTの開発及び、量産からアプリケーションまで自社で技術を保有。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済み。 高品質、高信頼性を確保した製品 日本国内での不具合解析、技術対応可能...トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタロ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE20N60　20A, 600V POWER MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社