『PVD装置カタログ』無料プレゼント！

◆◇◆経緯◆◇◆

従来使用している金属蒸着方法は、ボート式であり、金属膜を蒸着する際に、
100A以上もの大電流を印加している。ボート式は、初心者でも容易に蒸着可能であるが、
大電流を使用することで、膜質に悪影響をもたらす要因と考えられる。
また、蒸着の際の飛散量が激しく、チャンバー内のメンテナンスが頻繁に必要となり、
綺麗な環境での使用は困難となっている。 （詳細を見る）

●特徴
カーボンナノチューブは、その外径と構造の違いから多くの種類が有り、いずれも炭素原子６個が強固に結合した炭素鋼から出来ています。その特殊な構造から下記のような性質を持っています。

・導電性に優れている。
・熱伝導性に優れている。
・機械的特性に優れている。

本装置は、電気炉を用いて石英管中の基板を900℃まで加熱し、エタノールガスを導入しカーボンナノチューブを成長する為の装置です。
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●特徴
本装置はCVD法を用いた薄膜作製装置であり、原料ガス状物質（気体、液体、固体）としてCVD反応室に供給し、気相または基板材料表面において化学反応を起こさせ、所望の薄膜材料を基板上に堆積させる気相反応、表面反応を利用した薄膜作製装置です。原料ガス状物質を化学的に活性させる（励起状態にする）手法として、熱、プラズマ、光（レーザー、紫外線など）があり、各々熱CVD、プラズマCVD、光CVD装置などがございます。
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本装置は高周波プラズマCVD法およびホットワイヤーCVD法を用いた微結晶SiC太陽電池を作製することが可能な装置です。太陽電池における光吸収層であるi層、およびpn層の各層が分離形成できるように、3つの薄膜堆積チャンバー、試料搬送用ロボットチャンバー、試料ストックチャンバーの合計5室で構成しております。 （詳細を見る）

【特長】
ICF-70によるコンパクト/省スペース設計
シャッター機構標準装備
±0.1℃による温度設定が可能

●応用材料
・Si (Silicon)
・As (Arsenic)
・Ga (Gallium)
・Al (Aluminum)
・In (Indium)
・P (Phosphorus) etc

※仕様に合わせて任意のストローク、形状等承ります。  （詳細を見る）

固体表面にイオン化して加速した原子あるいは分子を衝突させることにより、固体表面から固体材料が飛び出してくる現象（スパッタリング）を利用した成膜装置です。高融点金属や合金材料、誘電体、絶縁材料にも適用できる為に、工業的利用価値が高い。 （詳細を見る）

真空装置・低温機器をはじめとし、試作研究開発機器の設計・製造及び販売を行う北野精機では
PVD装置を多数掲載した『PVD装置カタログ』を無料進呈中です！

選定に役立つPVD装置コンポーネントガイドや、蒸着構成、機能構成など
蒸着装置をご検討中の研究者にぴったりな一冊です。

【掲載内容(一部)】
■PVD装置コンポーネントガイド
■チャンバータイプ別仕様
■蒸着構成／各蒸着源仕様
■機能構成　マニピュレーター　など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。 （詳細を見る）

●特徴
本装置は10-8Pa以下の超高真空中に置いた基板を加熱し、基板上に堆積させたい原料を独立に供給して基板上に結晶を成長させる真空蒸着法で、蒸発原料に固体を使用して分子線蒸着源（クヌーセン・セル）により原料の蒸発を行う固体ソースMBE装置と、原料に気体や有機金属を使用するガスソースMBE装置などがございます。 （詳細を見る）