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最終更新日:2020-05-12 11:49:29.0

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半導体デバイス 汎用2D/3D解析・設計ソフトウェア APSYS

基本情報半導体デバイス 汎用2D/3D解析・設計ソフトウェア APSYS

半導体デバイス用 汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア APSYS

半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア

【特徴】

■電流−電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性

■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
  もしくはお問い合わせ下さい。

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能

<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス

■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
  もしくはお問い合わせ下さい。

■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。 (詳細を見る

量子井戸と量子ドット太陽電池のシミュレーション

量子井戸と量子ドット太陽電池のシミュレーション 製品画像

ミニバンドモデル(miniband model)をドリフトディフュージョン(drift-diffusion)理論の枠組みに取り入れることで量子井戸(Quantum Well)/量子ドット(Quantum Dot)太陽電池の有用性の実証例を紹介。ミニバンドの異なるエネルギーによって、コールドキャリア(cold carrier)とホットキャリア(hot carrier)ミニバンドが計算可能。2D量子井戸と3D量子ドットの量子状態の解(quantum states solution)が量子井戸/量子ドット材料中の幅広い吸収スペクトラム(absorption spectrum)を精密に計算。 (詳細を見る

量子井戸と量子ドット太陽電池のデバイスシミュレータ

量子井戸と量子ドット太陽電池のデバイスシミュレータ 製品画像

ミニバンドモデル(miniband model)をドリフトディフュージョン(drift-diffusion)理論の枠組みに取り入れることで量子井戸(Quantum Well)/量子ドット(Quantum Dot)太陽電池の有用性の実証例を紹介。ミニバンドの異なるエネルギーによって、コールドキャリア(cold carrier)とホットキャリア(hot carrier)ミニバンドが計算可能。2D量子井戸と3D量子ドットの量子状態の解(quantum states solution)が量子井戸/量子ドット材料中の幅広い吸収スペクトラム(absorption spectrum)を精密に計算。 (詳細を見る

薄膜太陽電池のシミュレータ

薄膜太陽電池のシミュレータ 製品画像

デバイスモデリング(modeling)の特徴を、APSYSを用いて各物理モデル(physical models)や量子トンネリング(quantum tunneling)について紹介。a-Si, muC-Si, a-SiGeとITO/ZnOを使ってa-Siに対するモデルと材料の吸収特性(material absorption property)を説明。a-Si PIN太陽電池のモデリング結果として、二重接合(dual junction) muC-Si/a-Siと三重接合(triple junction) a-Si/a-SiGe/a-SiGeタンデム型(tandem cells)太陽電池を計算例を紹介。クロスライトの2D/3D光線追跡(ray tracing)とFDTDモジュールを併用することで、APSYSでSi基板の薄膜太陽電池を効率的に設計・解析が可能。 (詳細を見る

多接合太陽電池のシミュレータ

多接合太陽電池のシミュレータ 製品画像

化合物半導体の単接合(single-junction)と多接合(multi-junction)太陽電池の2D/3Dシミュレーションの実施例を紹介。非局在(Non Non-local)トンネル接合モデル(tunnel tunnel-junction model)を実験によって較正。太陽光スペクトラム(solar spectrum)をバイアスに用いて外部量子効率(external quantum efficiency)を解析。I-V特性、Isc、Vocと量子効率はモデリングと実験結果が一致。複数太陽光(multi-sun)のモデリング結果から、最適な太陽数はコンタクトパッドの間隔によって変わり、異なる直列抵抗の効果が示された。 (詳細を見る

シリコン基板太陽電池のモデリングとシミュレーション

シリコン基板太陽電池のモデリングとシミュレーション 製品画像

クロスライトの柔軟な材料データベースはSiやpoly Siの移動度(mobility)やライフタイム(lifetime)を不純物濃度(doping)や粒子サイズ(grain size)の関数として容易に作り込みが可能。プロセスシミュレーションと連携したデイ倍すシミュレーションが可能。Si RCC(rear-contacted cells)のシミュレーション結果は実験結果と一致。クロスライトの2D/3D光線追跡モジュール(ray tracing module)と併用することで複雑な太陽電池の構造や表面状態を考慮したシミュレーションが可能。表面にnコンタクト、表層(texture)とコーティング(coating)に埋込みnコンタクト(buried n contact)を持ったPERTセルデバイスをシミュレーション、結果を選択し示した。 (詳細を見る

レーザ照射コンタクト太陽電池シミュレータ

レーザ照射コンタクト太陽電池シミュレータ 製品画像

クロスライトのプロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレータAPSYSを併用したレーザ照射コンタクト(Laser fired contact)のプロセスを例示。最終的にLFC(Laser fired contact)を構造に持つRCC(rear-contacted cells)デバイスをAPSYSに取込み、太陽電池性能のモデリングが成功。LFCを持つRCCデバイスの妥当な性能を示した。結果から、実際のレーザパルス照射を議論、Al原子が溶融したSi中へ拡散する可能性を示唆。クロスライトのCSupremとAPSYSでLFCを持つ太陽電池の2D/3Dモデリングが可能。 (詳細を見る

ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ

ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ 製品画像

LEDの効率の低下に関する様々なモデルをAPSYSは提供可能。(分極電荷(polarization charge)起因の量子井戸と障壁のポテンシャルひずみ。量子障壁(quantum barrier)とEBL(electron blocking layer)を越えるコールドキャリアリーク。ホットキャリア(hot carrier)起因の非局所輸送(non-local transport)。熱電子放出経由の非局所ホットオージェ電子リーク(Auger-thermionic model)。オージェ再結合率に依存する量子井戸からの非局所直接離脱(Auger-direct model)。オージェ再結合率に依存する量子障壁からのホットキャリア非局所放出(Auger-indirect model)。) (詳細を見る

FDTDによるサファイア基板LEDのデバイスシミュレータ

FDTDによるサファイア基板LEDのデバイスシミュレータ 製品画像

異なる表面形状を持った2種類のLEDデバイス構造をAPSYSでFDTD法を用いてシミュレーションし、角度に依存する発光強度分布が得られた。表面形状の違いが発光強度に反映。2Dと同じ方法で3D構造のFDTDシミュレーションが可能。 (詳細を見る

GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ

GaN基板LEDの3D TCADシミュレータ 製品画像

プロセスシミュレーター(CSuprem)とデバイスシミュレーター(APSYS)を統合したTCADで多重量子井戸(MQW)構造LEDの解析を紹介。ポテンシャル、電流密度、温度とキャリア分布をシミュレートし結果を3Dで表示。デバイス断面構造の設定にはGUIインターフェイスを持ったLayerBuilder(標準付属)を使用。電極などレイアウトパターンは、GDSフォーマット対応の、MaskEdior(標準付属)で作成。これらの情報をもとに、CSupremで3Dメッシュとドーピングプロファイルを生成。デバイスシミュレーター(APSYS)で、電気的な特性(IQEなど)と熱的特性をシミュレーション。また、オプション機能のオプトウィザード(Optowizard)を用いて、光線追跡(raytracing)またはFDTDによる光抽出が可能。 (詳細を見る

蛍光体LED光線追跡シミュレータ

蛍光体LED光線追跡シミュレータ 製品画像

解析手順のテクニックを紹介。光線追跡を解析、得られた結果のプロットを表示。(LED出力の角度配布。黄色/赤色の蛍光体における、吸収されたパワー密度のプロファイル。全ての光出力のスペクトラム。) (詳細を見る

ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3Dデバイスシミュレータ

ナノワイヤー/ナノチューブLEDの3Dデバイスシミュレータ 製品画像

デバイスシミュレーター(APSYS)で、GaN基板のナノワイヤ(nanowire)やナノチューブ(nanotube)構造のLEDを効率よく解析。デバイスのモデリングとシミュレーション例を紹介。試験的に15,000メッシュポイント(mesh points)の量子井戸(quantum well)を1個有する単体のナノチューブ(single tube)を計算。典型的なI-V特性計算に、OS:Windows7+CPU:i5のノートPCで約20分のコスト。使用したAPSYSの物理モデルと数値解析機能は、「移動拡散(drift diffusion))モデルを量子力学と合わせ自己無撞着に計算」、「分極電荷を極性・半極性に利用」、「熱モデル」、「EBLドーピング、バンドオフセットや分極電荷によるIQEドロップ」、「FDTDによる抽出計算」など。 (詳細を見る

共振器型LEDのデバイスシミュレータ

共振器型LEDのデバイスシミュレータ 製品画像

RCLEDの様々なタイプの解析例を紹介。(InGaAs/AlGaAs RCLEDを例に実験結果と比較。VCSELと似た構造をもちGaAs/AlGaAs材料の多重量子井戸(MQW)のRCLED。離調DBR(detuned DBR)を持つRCLED。長い共振器をもつRCLED)デバイスシミュレーターAPSYSはオールインワンの解析とデザインアプローチを可能にする。 (詳細を見る

CADによるGaN LEDの設計ツール

CADによるGaN LEDの設計ツール 製品画像

クロスライトのCAD製品のデバイスシミュレーターでLEDデバイスを例に2D/3Dのシミュレーションを紹介。多重量子井戸(MQW)モデル、キャリア輸送モデル、光線追跡などの物理モデルや機能を用いて計算。分極の有無によるバンド、IQEドループ(IQE droop)をシミュレーション、分析。超格子(Super Lattice)のデザインについて紹介。InGaN LEDの典型的な2DシミュレーションやITO電極を持つLEDの完全3Dシミュレーションなどの例を紹介。 (詳細を見る

有機LEDのシミュレータ

有機LEDのシミュレータ 製品画像

クロスライトのデバイスシミュレーターAPSYS(アプシス)で様々な有機LED(Organic Light-Emitting Diodes)のシミュレーションを紹介。有機半導体(organic semiconductor)に対する量子移動拡散(quantum drift-diffusion)モデルと解析。3D光線追跡(3D ray-tracing)による光抽出(non-microcavity mode)。フレンケル励起子(Frenkel exciton)を伴ったエレクトロルミネセンス(electroluminescent)スペクトルのモデリング。マイクロ共振器(microcavity)効果を含めた計算。アクティブマトリクス式有機EL(AMOLED)への適用。三重拡散層を使った白色有機EL(WOLED)の解析。低電圧PIN構造の特性をシミュレーションと実験結果の比較。タンデム型有機EL(OLED)の解析。 (詳細を見る

InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレータ

InGaN/GaN量子ドットLEDシミュレータ 製品画像

LEDデバイスを例に量子ドット(quantum dots)のモデルを解説。量子ドットサイズごとの発光スペクトル(EL spectrum)をシミュレーション。また、実験結果とも比較。量子輸送の有無によるI-V特性をシミュレーション、結果を比較。また、実験結果とも比較。量子効率の解析、比較。量子ドットの密度の違いによる量子効率や発光スペクトルを比較。また、量子ドット(quantum dots)と量子井戸(quantum wells)のLEDデバイスの特性を比較。 (詳細を見る

フォトニック結晶LEDのデバイスシミュレータ

フォトニック結晶LEDのデバイスシミュレータ 製品画像

フォトニック結晶LED(PhCLED)のモデリングのポイントや解析事例を紹介。DBRを持ったフォトニック結晶LEDを題材にしたシミュレーションを検討。(2D/3Dドリフトディフュージョンモデル(drift-diffusion model)。物理シミュレーションによるバンド解析。自然放出(spontaneous emission)と導波モード(guided mode)。エアホール(air hole)の深さの考察など。)また、InGaN フォトニック結晶LEDを題材に多導波モード(guided multimodes)の解析も紹介。これらのシミュレーション結果は、報告されている理論や実験と一致している。 (詳細を見る

クロスライトのLEDシミュレータ

クロスライトのLEDシミュレータ 製品画像

様々な物理モデル。(ウルツ鉱材料に応じた多重量子井戸(Multiple Quantum Wells)モデルに基づくk.p.理論。表面分極電荷(polarization surface charge)/自己無撞着モデル(self-consistent model)。量子井戸(quantum wells)または量子ドット(quantum dots)のための多体(Manybody)利得(gain)/自然放出(spontaneous emission)理論。非平衡量子輸送モデル(Non-equilibrium quantum transport model)。)InGaN/GaN MQWの青色LEDの特性における分極電荷の効果の有無を比較。(バンド図(band diagram)、ELスペクトル(EL spectrum)、I-V特性(I-V curve)、内部量子効率(IQE: internal quantum efficiency))また、構造の最適化を検討。(インジウム(In: indium)組成の依存性、量子井戸(quantum well)数の依存性、量子井戸(well)/障壁層(barrier)の厚さ依存) (詳細を見る

表面構造を持つ多重量子井戸LEDの3Dデバイスシミュレータ

表面構造を持つ多重量子井戸LEDの3Dデバイスシミュレータ 製品画像

プロセスシミュレータCSupremで3D構造デバイスを構築。APSYSとFDTDの組合せによる表面構造(textured surface)のモデリング手順を紹介。電気特性と光学特性をAPSYSと3D光線追跡を用いて計算。(FDTDデータで3D光線追跡を行い光パワーを抽出)クロスライトソフトウェアのいくつかのモジュールを組合わせることで表面構造を持つLEDを正確に計算可能。 (詳細を見る

高輝度発光ダイオードデバイスシミュレータ

高輝度発光ダイオードデバイスシミュレータ 製品画像

グリーン関数(Green's function)理論に基づく理論モデルを解説。テストデバイスを用いて解析。(横モード(lateral mode)のプロファイル 利得(gain) バンド図(band diagram) 異なる注入におけるキャリア分布 空間的ホールバーニング(spatial hole burning) I-V特性(I-V curve) L-I(L-I curve) 自然発光の強度(amplifier spontaneous emission)に対する3D効果。) (詳細を見る

高応力GaNデバイスの研究ツール

高応力GaNデバイスの研究ツール 製品画像

高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重量子井戸(MQW)中の圧電電荷(piezoelectric charges)の減少。内部量子効果(IQE)の減少はEBL(electron blocking layer)インターフェイス上の圧電電荷の増加が原因。 (詳細を見る

LEDの多重量子障壁の有無比較ツール

LEDの多重量子障壁の有無比較ツール 製品画像

多重量子障壁(MQB: Multiple Quantum Barriers)超格子(SL: superlattice)のトンネリングモデルを解説。超格子の有無をシミュレーション比較。(バンド図(band diagram)、L-I特性、内部量子効率(IQE)、電子リーク(electron leakage)など)多重量子障壁は電子のポテンシャルバリアを増加し電子リークをより効果的にブロック。 (詳細を見る

マッハツェンダー型光変調器のデバイスシミュレータ

マッハツェンダー型光変調器のデバイスシミュレータ 製品画像

マッハツェンダー型光変調器のシミュレーションには微視的な量子井戸モデルから導波路とシステムに関連する回路モデルまで必要。クロスライトはマッハツェンダー型光変調器の設計に対して統合された最先端のソリューションを提供する。資料では、さまざまな物理的数理的モデルを紹介し、実際のモデリングの例を解説。 (詳細を見る

CMOSイメージセンサーの3次元シミュレータ

CMOSイメージセンサーの3次元シミュレータ 製品画像

クロスライトのTCADや3Dシミュレーションの特徴を紹介。また、3D構造を構築するためのツールであるMaskEditorやSemiCrafterの特徴を説明。実際シミュレーションを行うためにCMOSイメージセンサー(CMOS Image Sensor)のプロセスの概要を示し、各ステップ毎の作業を解説。 (詳細を見る

タイプII型量子井戸受光素子のデバイスシミュレータ

タイプII型量子井戸受光素子のデバイスシミュレータ 製品画像

適用可能なモデルと機能を紹介。(タイプ-II型量子井戸(Type-II MQW)の組を150対インプットコマンドでくくるテクニック。複合多重量子井戸(Complex MQW)光利得(optical gain)モデルからタイプ-II型量子井戸の光利得/光吸収スペクトルを求める。タイプ-II型量子井戸のバンドアライメント(band alignments)によって吸収スペクトルをデザイン。量子力学に基づいたミニバンド(mini-band)モデルの効果) (詳細を見る

量子井戸型赤外線センサーのデバイスシミュレータ

量子井戸型赤外線センサーのデバイスシミュレータ 製品画像

クロスライトのAPSYSはQWIP(Quantum Well Infrared Photodetectors)デバイスの解析に対して総合的な物理モデルを提供可能。そしてモデルの妥当性は実験結果と比較して十分にリーズナブルである。移動拡散理論(drift-diffusion theory)に対する非局所的な量子補正はQWIPの性質における光電流(photo-carrier extraction)を説明するのに必要。 (詳細を見る

アバランシェフォトダイオードのデバイスシミュレータ

アバランシェフォトダイオードのデバイスシミュレータ 製品画像

APD(Avalanche Photodiodes)のシミュレーションで利用されるAPSYSの物理モデルを紹介。(ドリフト拡散(drift-diffusion)と流体力学(hydrodynamic)モデル。衝突電離(impact ionization)と過剰雑音(excess noise)要因。共振状態(Resonant condition))また、APDデバイスのモデリングと解析結果について紹介。(InP/InGaAs SAGCM APDのモデリング。InGaAs/AlGaAs RCE SAGCM APDのモデリング。GaAs/AlGaAs PIN APDのホットキャリア(hot carrier)モデル) (詳細を見る

ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ

ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ 製品画像

ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの柔軟な選択。他の全ての移動拡散方程式を合わせたNEGF方程式の自己無撞着解。 (詳細を見る

非平衡グリーン関数によるSOI FinFETシミュレータ

非平衡グリーン関数によるSOI FinFETシミュレータ 製品画像

SOI FinFETのシミュレーションフローとそこで使われるツールの概要を説明。プロセスシミュレーターCSupreによる3Dプロセスシミュレーション例を紹介。プロセスシミュレーションで作った構造データをもとに、デバイスシミュレーターAPSYSにおいて量子閉じ込めや酸化層の溶け込みや量子バリスティック電流輸送モデルなどのFinFETのモデリングの特徴とその解析例を紹介。 (詳細を見る

MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果解析シミュレータ

MOSFETにおける3Dシミュレーションの効果解析シミュレータ 製品画像

STI(shallow trench isolation)閉じ込めMOSにおいて、SiO2/Siインタフェース分離により、幅方向にドーパント拡散が起こる。HV(high voltage) MOSFETにとって、3D拡散(diffusion)と狭ゲート(narrow gate)サイドフィールドは閾値電圧Vthを幅を減らすかのように低い方へシフト。ナノMOSFETの典型的なプロセスフローでは、W>0.1 umの幅を減少しVthが増加。方形トレンチ(square-trenched) UMOSでは、四角サイズが減らすかのように、幾何学的および3D拡散の効果は低い方へVthをシフト。 (詳細を見る

MOSFETの基板電流シミュレータ

MOSFETの基板電流シミュレータ 製品画像

プロセスシミュレーターCSupremでNMOS(N-channel MOSFET)のモデリング例を紹介。CSupremデバイスシミュレータAPSYSによる特性解析を例示。また、鐘型曲線(Bell Bell-shaped curves)の基板電流(substrate current)特性をシミュレーションから得、実験結果と比較。 (詳細を見る

Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ

Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ 製品画像

クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quantum corrections)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。 (詳細を見る

ナノサイズGaN HEMTのシミュレータ

ナノサイズGaN HEMTのシミュレータ 製品画像

APSYSの電界効果トランジスタ(FET)デバイス解析に利用する物理モデルを説明。量子バリスティック電流輸送(Quantum ballistic current transport)モデルの紹介。APSYSによるGaN HEMTの非平衡グリーン関数法(NEGF: Non-Equilibrium Green's Function)と移動拡散方程式によるシミュレーション結果を比較。I-V特性の形状においてNEGFによる結果は実験結果に類似。 (詳細を見る

HEMTシミュレータ

HEMTシミュレータ 製品画像

「GaN/AlGaN HEMTにおける圧電分極(Piezoelectric charge)、核形成層(nucleation layer)と半絶縁トラップ(semi-insulating traps)」、「GaN/AlGaN HEMTにおけるホットキャリアトラップ(Hot Carrier Trapping)」、「InGaAs HEMTにおけるインパクトイオン化効果」の各課題を具体的なデバイスでシミュレーション、結果を解説。 (詳細を見る

高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング

高耐圧AlGaN/GaN HEMTのモデリング 製品画像

マグネシウム層構造(magnesium layer structure)を持つ高いブレークダウン電圧(breakdown voltage)のAlGaN/GaN HEMTをシミュレーション。マグネシウム(Mg)層の長さおよびそのドーピング密度を最適化することで900Vのブレークダウン電圧を達成。(具体的にマグネシウム層の長さ、ドーピング密度と移動領域(drift region length)の長さを例示) マグネシウム層はAlGaN/GaNデバイスのブレークダウン電圧を強化するのに効果的。 (詳細を見る

SiC MESFETの3次元シミュレータ

SiC MESFETの3次元シミュレータ 製品画像

MaskEditorによるマスクパターン設計、CSupremによるプロセスシミュレーション、APSYSによるデバイスシミュレーンまでのフローで設定のポイントを紹介。また計算結果をグラフィカルにプロットし解析のポイントや特性を例示。 (詳細を見る

高耐圧MOSFETの2/3次元シミュレータ

高耐圧MOSFETの2/3次元シミュレータ 製品画像

ハイボルテージ(High Voltage) MOSFETを題材に2次元/3次元シミュレーションを紹介。内容:プロセスシミュレーターCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSのモデルを概観、プロセスシミュレーションについて解説、300V LDMOSのブレークダウン(Breakdown)の解析、フローティングゲート(floating gates)の3次元シミュレーション、ハイブリッドIGBT(hybrid IGBT)の3次元シミュレーション。 (詳細を見る

3次元TCAD

3次元TCAD 製品画像

クロスライトのTCADを利用した3次元プロセス、デバイスシミュレーション。メッシュ生成、デバイス構造の作りこみ、解析などを各種デバイス(CMOSイメージセンサー、LDMOS、FINFET、DMOS、LIGBT)を例にその機能やしくみを紹介。また、GPUによるシミュレーションについても紹介。 (詳細を見る

パワー半導体のシミュレータ

パワー半導体のシミュレータ 製品画像

クロスライトの各製品の詳細を事例をもとに紹介。クロスライトのAuto TCADを解説。 (詳細を見る

パワー半導体デバイス向けTCAD

パワー半導体デバイス向けTCAD 製品画像

運動トラック形状のポリシリコンゲート(Race Track Poly Gate)を持つLDMOSと六角型ポリシリコンゲート(Hexagonal Poly Gate)を持つDMOSを題材にデバイスのシミュレーションの概要を紹介。 (詳細を見る

ミックスモードシミュレータ

ミックスモードシミュレータ 製品画像

回路(SPICE)とデバイスを混在してシミュレーションを行うクロスライトのミックスモードを紹介。回路とデバイス混在シミュレーションのしくみの概略説明。IGBTデバイスを題材にミックスモードの実行と結果解析の例を紹介。 (詳細を見る

ガン・ダイオードのシミュレータ

ガン・ダイオードのシミュレータ 製品画像

ガン・ダイオード(Gunn Diode)のデバイスモデリング、シミュレーション解析結果を解説。ガン・ダイオードの自励発振をデモンストレーション。摂動を伴った過渡シミュレーションが効果を観察する鍵。不均質なキャリア/電場のプロファイルが自励発振のもととなる鍵。過渡的な移動拡散は確率的なノイズ起因のモデルでないため、摂動はユーザーによって定義されるべき。 (詳細を見る

薄膜トランジスタの3次元シミュレータ

薄膜トランジスタの3次元シミュレータ 製品画像

プロセスシミュレータCSupremとデバイスシミュレーターAPSYSを利用した3次元計算の概要を紹介。MaskEditorによるパターン作成、このパターンをもとにプロセスシミュレーション、プロセスシミュレーション結果をもとに薄膜トランジスタ(TFT)の電気的、光的特性をデバイスシミュレーションし結果プロットを表示。 (詳細を見る

結晶方位の影響を解析するシミュレータ

結晶方位の影響を解析するシミュレータ 製品画像

結晶方位(crystal orientation)と分極(polarization)について解説。任意の結晶方位での量子井戸(QW)を解析するためのk.p.法(k.p. method)など、結晶方位の影響を探るための物理モデルの紹介。異なる結晶方位での光利得(optical gain)、c-planeとm-planeでの結晶方位の影響の比較、有限要素シミュレーション(finite-element simulation)による半導体レーザーダイオード(LD)性能の比較などInGaN/GaN QWを題材にその結果を例示。 (詳細を見る

量子ドリフトディフュージョン解析シミュレータ

量子ドリフトディフュージョン解析シミュレータ 製品画像

従来の移動拡散ソルバー(drift-diffusion solver)に様々な量子モデル(quantum model)および非局在輸送モデル(non-local model)を含むように改良。それらのモデルは、量子および非局在的な物理を含むデバイスをシミュレーションする上で重要。そのようなアプローチでの潜在的な困難として、何らかの妥当性を判断することがユーザーに対して要求される。 (詳細を見る

バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ

バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ 製品画像

量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quantum tunneling effect)が可能。ただし、アルミ(Al)組成割合変化の距離選択が重要。十分に多く内部にメッシュポイント(internal extra mesh point)を追加することで、組成割合変化と同様の効果をもたらす。量子トンネリングモデルはキャリア輸送の量子力学強化に最も信頼できる方法である。 (詳細を見る

多体エキシトン効果の解析シミュレータ

多体エキシトン効果の解析シミュレータ 製品画像

多体効果(manybody effect)およびエキシトン(exciton effect)と不均一広がり効果(inhomogenous broadening effect)をデバイスシミュレーターに搭載。結果は文献で発表された理論と実験データに合致。クロスライトは新しい利得/吸収スペクトルモデル(gain/absorption spectrum model)を全てのユーザーに推奨。 (詳細を見る

感光デバイス解析シミュレータ

感光デバイス解析シミュレータ 製品画像

デバイスシミュレーターAPSYSとFDTD(バリエーション有)でシームレスに作業・デバイスシミュレーションが可能。APSYS-FDTDパッケージに付属されている2Dと3D構造デバイスのFDTDに関する例題を使用してその機能を例示。複雑な3D構造のシミュレーションには64ビットCPUとOSが必要だが、APSYSは既に対応済み。 (詳細を見る

クロスライトのFDTDシミュレータ

クロスライトのFDTDシミュレータ 製品画像

クロスライト独自の2D/3D FDTDシミュレーターを開発。クロスライトのデバイスシミュレーターと直結可能。Phythonを利用したスクリプト作成・処理が可能。GUIから全ての操作をコントロール可能。物質の分散は様々な分散モデルにより提供。PBCおよびUPML/CPML吸収境界条件を装備。並列計算による処理の加速は、MPI並列処理またはGPUデータ並列が利用可能。 (詳細を見る

FDTD計算をGPUで加速

FDTD計算をGPUで加速 製品画像

3次元レンズ構造およびCIS 3次元 CMOSイメージセンサーをベンチマーク例としてピックアップ。クロスライトのFDTDのGPUバージョンは3次元の実デバイス構造に対し66倍処理が向上。ベンチマーク結果は安価なGPUカードで、Core i7 3930K PC 10クラスター(60コアに相当する)と同等の処理速度を実現。 (詳細を見る

低電界移動度モデルのシミュレータ

低電界移動度モデルのシミュレータ 製品画像

低電界移動度モデルの概要説明。そのコマンド文法の解説。各機能とパラメータの解説。NMOSを題材にシミュレーションのセットアップについての解説およびその計算結果としてのId-Vd特性およびId-Vg特性のプロットを例示。 (詳細を見る

【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS

【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS 製品画像


■下記Youtubeにて試用版デモ"Trial Guide"の動画を公開中!
■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から
(製品の詳細については、カタログもしくはお問い合わせ下さい) (詳細を見る

【動画】半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

【動画】半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」 製品画像

 
■下記YoutubeにてNovaTCADによるシミュレーションの自動処理の動画を公開中!
■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から
(製品の詳細については、製品紹介の資料をご覧ください) (詳細を見る

半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」 製品画像

<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」
■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」
■マスク編集ツール(GDSII可)
■デバイス断面構造の入力・編集ツール
■シミュレーション結果をグラフィカルに表示

<デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性

■その他機能や詳細については、カタログをダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
■試用版は「試用版お申込フォーム」からお申込みください。 (詳細を見る

取扱会社 半導体デバイス 汎用2D/3D解析・設計ソフトウェア APSYS

クロスライトソフトウェアインク日本支社

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