テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)
最終更新日:2013-09-12 15:07:11.0
Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート
基本情報Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート
いくつかの異なるデバイスが標準モードで動作中の重要な各信号動作を説明
集積回路・電子システム技術・特許解析大手のセミコンダクターインサイツジャパンより、Samsung社の64 Gbit 21 nmTLC NANDフラッシュの波形解析レポートのご紹介です。この波形解析は、デバイスがいくつかの異なる標準的な動作モードで動作している時の、重要な各信号の信号動作を説明するものです。解析した部品は、Samsung21nm NAND Flashで、マイクロプローブを金属製の信号線部分に置いて、デバイスを動作させ、振動動作を記録しました。
【Samsung21nm NAND Flash】
○Samsung最新のソリッドステートドライブで使用
【観測された信号】
○グローバルワード線
○ビット線
○P-well アイソレーション
○グローバルストリングセレクト
○グローバルグランドセレクト など
その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート
集積回路・電子システム技術・特許解析大手のセミコンダクターインサイツジャパンより、Samsung社の64 Gbit 21 nmTLC NANDフラッシュの波形解析レポートのご紹介です。この波形解析は、デバイスがいくつかの異なる標準的な動作モードで動作している時の、重要な各信号の信号動作を説明するものです。解析した部品は、Samsung21nm NAND Flashで、マイクロプローブを金属製の信号線部分に置いて、デバイスを動作させ、振動動作を記録しました。
【Samsung21nm NAND Flash】
○Samsung最新のソリッドステートドライブで使用
【観測された信号】
○グローバルワード線
○ビット線
○P-well アイソレーション
○グローバルストリングセレクト
○グローバルグランドセレクト など
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取扱会社 Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート
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