テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）
最終更新日：2014-03-31 14:35:39.0
レポート Intel 22nm Haswell eDRAM
基本情報レポート Intel 22nm Haswell eDRAM
Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです
「Intel(R) 22nm Haswell eDRAM」は、IntelGT3 graphicssing unit (GPU) に搭載されている Haswell G82494 プロセッサーにあたる埋込型（エンペッド）DRAM である Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです。
このインテグレーテッド・グラフィックユニットはローエンドGT1、ミッドレンジGT2、ハイエンドGT3等の様々な特色を持っています。GPU ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。
【特徴】
■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている
■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
レポート Intel 22nm Haswell eDRAM
「Intel(R) 22nm Haswell eDRAM」は、IntelGT3 graphicssing unit (GPU) に搭載されている Haswell G82494 プロセッサーにあたる埋込型（エンペッド）DRAM である Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです。
このインテグレーテッド・グラフィックユニットはローエンドGT1、ミッドレンジGT2、ハイエンドGT3等の様々な特色を持っています。GPU ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。
【特徴】
■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている
■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている
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取扱会社 レポート Intel 22nm Haswell eDRAM
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テックインサイツは、カナダの首都オタワに拠点を置くグローバルなマイクロエレクトロニクス業界を対象とした技術・知財コンサルタント会社です。 弊社は、VLSI集積回路および電子システムの綿密な技術調査・解析を通じて、顧客の知的財産（IP）権の行使や新しいテクノロジーおよび製品の開発と商品化をサポートします。
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