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最終更新日:2018/10/25

  • 製品カタログ
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  • カタログ発行日:2018年10月

SiCヒーター

基本情報SiCヒーター

豊富な実績を持つ安定したSICヒーターで1000℃の高温加熱が可能です。酸素ガス雰囲気中でも使用できCVDやPLD成膜装置に最適

豊富な実績を持つ安定したSICヒーターで1000℃の高温加熱が可能です。酸素ガス雰囲気中でも使用でき、またアウトガスが少ないため高真空での使用が可能です。CVDやPLD成膜装置に最適なヒーターです。
特長
○豊富な実績を持つ安定したSICヒーター
○1000℃の高温加熱が可能です。
○酸素ガス雰囲気でも使用可能。
○アウトガスが少なく高真空対応可能。
○真空成膜装置向けに設計しています。
○均熱性が良いヒータ構造です。

スペック情報

最大直径   ほか

傾斜温度加熱装置

傾斜温度加熱装置 製品画像

傾斜温度加熱装置SI-800は加熱試料に温度傾斜を与える事ができる加熱装置です.
常用500℃で約300℃の熱傾斜が得られます。本装置を用いる事で結晶化温度の研究評価等
を効率的に行う事ができます。また、基板ホルダーを交換する事で均熱加熱も可能です。
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ランプヒーター LXシリーズ

ランプヒーター LXシリーズ 製品画像

ランプヒーターLXシリーズは近赤外ハロゲンランプで加熱します。
○ 酸素雰囲気で1000℃以上に基板を昇温加熱できます。
○ ほとんどのガス雰囲気中で使用可能です。
○ 大気中から超高真空下まで使用できます。
○ Φ1“~Φ6”ウェハーおよび6インチ角基板まで対応できます。
○ 成膜装置の基板加熱やアニーリング装置に最適 (詳細を見る

価格帯 50万円以上 100万円未満 納期

レーザー基板加熱システム

レーザー基板加熱システム 製品画像

レーザー基板加熱システムは基板を短時間で1500℃以上に加熱できます。
真空チャンバー外からの加熱のためどのような雰囲気での実験も可能です。
特長
○ レーザー加熱を採用し短時間で1500℃以上の高温加熱を実現。
○ 任意のガス雰囲気で実験可能。
○ メンテナンスの容易なレーザーダイオード光源を採用。
○ レーザーアニール装置としても使用可能。
○ 光ファイバー導入で各種成膜装置に取付容易。 (詳細を見る

価格帯 500万円以上 1000万円未満 納期

パルスレーザーアブレーション成膜装置 PLD-3000

パルスレーザーアブレーション成膜装置 PLD-3000 製品画像

1500℃昇温レーザー加熱システムを採用した最新型パルスレーザーアブレーション成膜装置です。実績のある安定したNd:YAGパルスレーザーを採用しメンテナンスは容易です。高性能、コンパクト、使いやすく自由度の多い設計となっています。
特長
○ レーザー加熱システムを採用し1500℃加熱を実現
○ ランプヒーター、SiCヒーターの1000℃加熱装置も用意  
○ 安定でメンテナンスが容易なYAGレーザーを採用
○ 周波数解析可能なRHEEDシステム
○ コンパクトながら自由度が多く高性能
○ 10Pa~超高真空まで広範囲な圧力範囲で成膜可能
○ スパッタガンおよびMBEセル等の増設も可能 (詳細を見る

価格帯 1000万円以上 5000万円未満 納期

取扱会社 SiCヒーター

有限会社フリーダム 前橋工場

全固体電池、リチウムイオン電池の最先端研究分野においてユニークな真空機器を提供し皆様のご研究に貢献してまいります。 リチウム蒸着装置をはじめリチウムスパッタ装置、パルスレーザーデポジション装置(PLD)ロールツーロール全固体電池試作装置等の各種成膜装置を取り揃えています。 全固体電池に使用するリチウム負極、電解質および正極の真空成膜や試作に最適な装置群です。 また1200℃加熱できるランプ加熱、SICヒータ等の加熱装置および可搬型軽量真空容器等の真空機器を提供しています。

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