薄膜太陽電池のシミュレーション(Simulation of Si based thin-film solar cells)

＜主な特徴＞
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能

＜多様な物理モデルや機能＞
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布
■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス

■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
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デバイスモデリング(modeling)の特徴を、APSYSを用いて各物理モデル(physical models)や量子トンネリング(quantum tunneling)について紹介。a-Si, muC-Si, a-SiGeとITO/ZnOを使ってa-Siに対するモデルと材料の吸収特性(material absorption property)を説明。a-Si PIN太陽電池のモデリング結果として、二重接合(dual junction) muC-Si/a-Siと三重接合(triple junction) a-Si/a-SiGe/a-SiGeタンデム型(tandem cells)太陽電池を計算例を紹介。クロスライトの2D/3D光線追跡(ray tracing)とFDTDモジュールを併用することで、APSYSでSi基板の薄膜太陽電池を効率的に設計・解析が可能。 （詳細を見る）

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