クロスライトソフトウェアインク日本支社
最終更新日:2020-05-12 11:44:07.0
ホットオージェ電子のリーク(hot Auger electron leakage in InGaN MQW LED)
基本情報ホットオージェ電子のリーク(hot Auger electron leakage in InGaN MQW LED)
量子井戸でオージェ再結合に起因するリークの解析事例
LEDの効率の低下に関する様々なモデルをAPSYSは提供可能。(分極電荷(polarization charge)起因の量子井戸と障壁のポテンシャルひずみ。量子障壁(quantum barrier)とEBL(electron blocking layer)を越えるコールドキャリアリーク。ホットキャリア(hot carrier)起因の非局所輸送(non-local transport)。熱電子放出経由の非局所ホットオージェ電子リーク(Auger-thermionic model)。オージェ再結合率に依存する量子井戸からの非局所直接離脱(Auger-direct model)。オージェ再結合率に依存する量子障壁からのホットキャリア非局所放出(Auger-indirect model)。)
半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能
<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。 (詳細を見る)
ホットオージェ電子のリークのデバイスシミュレータ
LEDの効率の低下に関する様々なモデルをAPSYSは提供可能。(分極電荷(polarization charge)起因の量子井戸と障壁のポテンシャルひずみ。量子障壁(quantum barrier)とEBL(electron blocking layer)を越えるコールドキャリアリーク。ホットキャリア(hot carrier)起因の非局所輸送(non-local transport)。熱電子放出経由の非局所ホットオージェ電子リーク(Auger-thermionic model)。オージェ再結合率に依存する量子井戸からの非局所直接離脱(Auger-direct model)。オージェ再結合率に依存する量子障壁からのホットキャリア非局所放出(Auger-indirect model)。) (詳細を見る)
【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
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