クロスライトソフトウェアインク日本支社
最終更新日:2020-05-12 11:45:10.0
高応力GaNデバイスの研究(Study of Highly Stressed GaN Device on Silicon)
基本情報高応力GaNデバイスの研究(Study of Highly Stressed GaN Device on Silicon)
高応力GaNデバイスの研究事例
高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重量子井戸(MQW)中の圧電電荷(piezoelectric charges)の減少。内部量子効果(IQE)の減少はEBL(electron blocking layer)インターフェイス上の圧電電荷の増加が原因。
半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能
<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。 (詳細を見る)
高応力GaNデバイスの研究ツール
高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重量子井戸(MQW)中の圧電電荷(piezoelectric charges)の減少。内部量子効果(IQE)の減少はEBL(electron blocking layer)インターフェイス上の圧電電荷の増加が原因。 (詳細を見る)
【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
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