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最終更新日:2016/02/04

  • 技術資料・事例集
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ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算 (NEGF Simulation of nanowire MOSFET)

基本情報ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算 (NEGF Simulation of nanowire MOSFET)

ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算の事例

ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの柔軟な選択。他の全ての移動拡散方程式を合わせたNEGF方程式の自己無撞着解。

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能

<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス

■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
  もしくはお問い合わせ下さい。

■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。 (詳細を見る

ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ

ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ 製品画像

ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの柔軟な選択。他の全ての移動拡散方程式を合わせたNEGF方程式の自己無撞着解。 (詳細を見る

【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS

【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS 製品画像


■下記Youtubeにて試用版デモ"Trial Guide"の動画を公開中!
■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から
(製品の詳細については、カタログもしくはお問い合わせ下さい) (詳細を見る

取扱会社 ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算 (NEGF Simulation of nanowire MOSFET)

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