クロスライトソフトウェアインク日本支社
最終更新日:2020-05-12 11:46:28.0
Siのひずみに対するQWモデル(Quantum Well Model for Strained Silicon MOSFETs)
基本情報Siのひずみに対するQWモデル(Quantum Well Model for Strained Silicon MOSFETs)
ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析事例
クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quantum corrections)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。
半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能
<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。 (詳細を見る)
Siのひずみに対するQWモデルシミュレータ
クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quantum corrections)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。 (詳細を見る)
【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
■下記Youtubeにて試用版デモ"Trial Guide"の動画を公開中!
■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から
(製品の詳細については、カタログもしくはお問い合わせ下さい) (詳細を見る)
取扱会社 Siのひずみに対するQWモデル(Quantum Well Model for Strained Silicon MOSFETs)
Siのひずみに対するQWモデル(Quantum Well Model for Strained Silicon MOSFETs)へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。