クロスライトソフトウェアインク日本支社
最終更新日:2020-05-12 11:47:14.0
APSYSによるガン・ダイオードのモデリング(Gunn Diode Modeling in APSYS)
基本情報APSYSによるガン・ダイオードのモデリング(Gunn Diode Modeling in APSYS)
APSYSでのガン・ダイオードのモデリング事例
ガン・ダイオード(Gunn Diode)のデバイスモデリング、シミュレーション解析結果を解説。ガン・ダイオードの自励発振をデモンストレーション。摂動を伴った過渡シミュレーションが効果を観察する鍵。不均質なキャリア/電場のプロファイルが自励発振のもととなる鍵。過渡的な移動拡散は確率的なノイズ起因のモデルでないため、摂動はユーザーによって定義されるべき。
半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能
<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。 (詳細を見る)
ガン・ダイオードのシミュレータ
ガン・ダイオード(Gunn Diode)のデバイスモデリング、シミュレーション解析結果を解説。ガン・ダイオードの自励発振をデモンストレーション。摂動を伴った過渡シミュレーションが効果を観察する鍵。不均質なキャリア/電場のプロファイルが自励発振のもととなる鍵。過渡的な移動拡散は確率的なノイズ起因のモデルでないため、摂動はユーザーによって定義されるべき。 (詳細を見る)
【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
■下記Youtubeにて試用版デモ"Trial Guide"の動画を公開中!
■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から
(製品の詳細については、カタログもしくはお問い合わせ下さい) (詳細を見る)
取扱会社 APSYSによるガン・ダイオードのモデリング(Gunn Diode Modeling in APSYS)
APSYSによるガン・ダイオードのモデリング(Gunn Diode Modeling in APSYS)へのお問い合わせ
お問い合わせ内容をご記入ください。