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最終更新日:2020-05-12 11:47:38.0

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バンド内遷移トンネル効果(Intraband Quantum Tunneling Through Heterojunction)

基本情報バンド内遷移トンネル効果(Intraband Quantum Tunneling Through Heterojunction)

ヘテロ接合に対するトンネル効果のモデル紹介

量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quantum tunneling effect)が可能。ただし、アルミ(Al)組成割合変化の距離選択が重要。十分に多く内部にメッシュポイント(internal extra mesh point)を追加することで、組成割合変化と同様の効果をもたらす。量子トンネリングモデルはキャリア輸送の量子力学強化に最も信頼できる方法である。

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

<主な特徴>
■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア
■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能
(半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能)
■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能

<多様な物理モデルや機能>
■電流-電圧(I-V)特性
■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布
■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布
■熱輸送モデルで用いられる格子温度の2次元分布
■様々なバイアス条件のもとでのバンド図
■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果
■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド
■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の2次元分布
■光検出器などの光デバイスの2次元光学場分布
■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性
■FDTDインターフェイス

■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
  もしくはお問い合わせ下さい。

■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。 (詳細を見る

半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D

半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D 製品画像

<主な特徴>
■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています
■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を
含むレーザダイオードが計算可能

<多様な物理モデルや機能>
■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数(1次、2次のグレーティング)
■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度
■2次グレーティングDFBレーザーについての表面放出モード分布の計算
■異なる縦モードに対する出力と周波数変化
■サイドモード比、線幅、線幅と出力の積、有効α、2次調和歪み、
  表面放出出力(2次グレーティングDFB)
■異なるレーザー面と任意のバイアス条件でのモード出力スペクトル
■異なるバイアス条件と時間におけるモード出力スペクトル
■任意のバイアス条件におけるAM/FM微小信号変調応答、FM/RINノイズスペクトル
■2次調和歪みスペクトル

■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
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PICS3D(Fabry-Perot Edition)

PICS3D(Fabry-Perot Edition)     製品画像

<主な特徴>
■2次元構造モデルに基づいた半導体レーザのシミュレーションソフト
■共振器方向での効果を含まないため計算がより軽く実行可能
■有限要素計算のメッシュも2次元で設定するため収束がよりスムーズ

<多様な物理モデルや機能>
■光出力-電流(L-I)特性
■電流-電圧(I-V)特性
■2次元ポテンシャル、電場、電流分布
■電子とホール密度の2次元分布
■様々なバイアス条件の下でのバンド図
■半導体中の深いレベルのトラップの占有数と密度の2次元分布
■2次元多重横モードの光学場分布
■2次元局所光学利得分布
■バイアス電流に対するモード別屈折率依存性
■バイアス電流に対するモード別利得と屈折率変化の依存性
■電流に対する自発放出スペクトルの依存性
■Far-field 分布
■上記の全ての量の時間発展(過渡的モデル)と温度依存性(一様温度)

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バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ

バンド内遷移トンネル効果の解析シミュレータ 製品画像

量子トンネリング(quantum tunneling model)モデルは高ドーピングレベル(high doping level)においてキャリア輸送(carrier transport)への影響を無視できない。アルミ(Al)組成割合変化(composition grading)は、ポテンシャル障壁(potential barrier)の平坦化によって擬似的な量子トンネル効果(mimic quantum tunneling effect)が可能。ただし、アルミ(Al)組成割合変化の距離選択が重要。十分に多く内部にメッシュポイント(internal extra mesh point)を追加することで、組成割合変化と同様の効果をもたらす。量子トンネリングモデルはキャリア輸送の量子力学強化に最も信頼できる方法である。 (詳細を見る

【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター PICS3D

【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター PICS3D 製品画像


■下記Youtubeにて試用版デモ"Trial Guide"の動画を公開中!
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【動画】PICS3D(Fabry-Perot Edition)

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【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS

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取扱会社 バンド内遷移トンネル効果(Intraband Quantum Tunneling Through Heterojunction)

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