シリコンICプロセスシミュレーター(Silicon IC Process Simulation with CSuprem)

CSupremにおける物理モデルの紹介

イオン注入(ion implantation), 蒸着(deposition)、エッチング(etching)、拡散(diffusion)、酸化(oxidation)に対する物理モデルをベースに様々な半導体構造の1次元、2次元および3次元のプロセスシミュレーションが可能。IC製造工程の研究開発コストをコントロールするのに欠くことのできない信頼のある正確なシミュレーションツール。デバイスシミュレーターのためのドーピングプロファイル(doping profile)を出力可能。