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最終更新日:2010/02/18

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単結晶高純度ダイヤモンド合成用CVD装置 DCVD-51A

基本情報 単結晶高純度ダイヤモンド合成用CVD装置 DCVD-51A

単結晶高純度ダイヤモンド合成用CVD装置 DCVD-51A

ダイヤモンドの単結晶成長(ホモエピタキシャル)が可能な
高純度のダイヤモンド合成実験を行うためのプラズマCVD装置

【特徴】
○コンパクトで省電力
○超高真空技術を駆使しており、プラズマが室壁に接触しないため
 デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験が可能
○球状コンパクトチャンバー+特殊電極により、高効率な運転が可能
○放電状態を見ながらの実験が可能
○試料導入はロードロック方式への発展が可能
○完全なシールド構造により、マイクロ波の漏れ対策は万全
○全て空冷仕様により、電力とガス供給のみでの運転が可能

●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。

単結晶高純度ダイヤモンド合成用CVD装置 DCVD-51A

単結晶高純度ダイヤモンド合成用CVD装置 DCVD-51A 製品画像

ダイヤモンドの単結晶成長(ホモエピタキシャル)が可能な
高純度のダイヤモンド合成実験を行うためのプラズマCVD装置

【特徴】
○コンパクトで省電力
○超高真空技術を駆使しており、プラズマが室壁に接触しないため
 デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験が可能
○球状コンパクトチャンバー+特殊電極により、高効率な運転が可能
○放電状態を見ながらの実験が可能
○試料導入はロードロック方式への発展が可能
○完全なシールド構造により、マイクロ波の漏れ対策は万全
○全て空冷仕様により、電力とガス供給のみでの運転が可能

●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
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取扱会社 単結晶高純度ダイヤモンド合成用CVD装置 DCVD-51A

アリオス株式会社

真空計、分子線セル、プラズマ・ラジカル・イオン源 実験用装置、半導体製造装置の設計・製造・販売

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