パワーデバイスのトータルソリューションサービス

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ JEDEC、JEITA、AEC等の国内外の主要規格に対応した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合には、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。
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■ 各規格波形　JEDEC、JEITA（EIAJ)、AEC　に対し
　ユニット交換で対応します。
■ 直接チャージ法（Direct CDM）、電界誘導法（Field Induced CDM）
　の両方に対応します。
■印加ピンの接触状態の確認機能により確実に印加します。
■ダイオード特性判定法による破壊判定対応も可能です。（要相談） （詳細を見る）

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ ESDA/JEDEC、JEITA、AEC、IEC等の国内外の主要規格に対応した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合には、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。
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■高度加速寿命試験　5台
■冷熱衝撃試験　24台
■恒温恒湿試験　22台
■液槽冷熱衝撃試験　3台
■高温保存試験
■耐ホットオイル評価試験
■絶縁抵抗連続モニター評価
■導通抵抗連続モニター評価
■エレクトロマイグレーション連続モニター評価
■マイクロフォーカスX線透過観察
■超音波顕微鏡観察
■ESD評価試験
■CDM評価試験
■万能引張評価試験
■断面（研磨）観察サービス（環境試験前後の評価も可能です）
■太陽電池（結晶シリコン/アモルファスシリコン/化合物/有機薄膜など）EL発光現象
■発熱観察 （詳細を見る）

電子部品の接合部は基板全体の信頼性に大きな影響を及ぼします。
特にはんだ接合部においては、形状のみならず、
金属組織の観察が重要になります。 （詳細を見る）

TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、
あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の
解析を行う事ができます。 （詳細を見る）

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の
パワーデバイスに対し最適な前処理を行い
裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。

■解析の前処理－裏面研磨－
　各種サンプル形態に対応します。
　Siチップサイズ：200um～15mm角

■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－
　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応
　エミッション解析：～2kV　まで対応
　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応

■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－
　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し
　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
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半導体デバイスやそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD破壊およびラッチアップによる破壊に対する耐性を評価する試験サービスを提供します。

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ JEDEC、EIAJ、ESDAなどの規格に準拠した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合は、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。
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半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される
エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法：
クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。
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In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。

●正確な故障時間の把握が可能
　決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。
　In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。
●回復性故障の検出が可能
　回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。
　リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。
●試料へのストレス印加状態の監視が可能
　ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。
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●製品ライフサイクル全般をカバーする総合的な技術サービス
　電子部品の品質向上のために必要な開発時の原材料評価、信頼性試験と結果解析、出荷後の故障解析と結果の開発・製造現場へのタイムリーなフィードバック、さらには品質問題解決のコンサルティングまで、製品ライフサイクル全体にわたりご支援します。
●信頼性試験の結果を速やかに解析、速報
　信頼性試験での不良に対し、豊富で効率的な解析メニューにより的確でタイムリーな原因特定、考察をご支援します。
●必要なサービスを必要なだけご利用ください
　決められた評価計画に基づく試験・検査実施から、問題解決のための評価・解析計画立案、結果解析、原因究明とコンサルテーションまで、必要にあわせて自由にご選択頂けます。
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■解決する力
　知識と技術でかいけつに導くコンサルティング
　スピード対応でお客様スケジュールを支援
■つきとめる力
　故障個所をピンポイントし可視化する技能
　深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術
■特化した設備
　最高180℃での液槽熱衝撃試験
　パワー半導体に必須のパワーサイクル試験 （詳細を見る）

海外製部品・製品の中には、初期動作は問題なくても、
短期間に不具合を引き起こし、故障破壊に至るものもあります。
海外製品を採用・使用される前に、アイテスの
部品・製品 品質評価サービスをご検討下さい。

■海外製部品評価例
・部品調達・選定段階での信頼性評価
・部品・製品メーカー間比較評価
・現行部品⇒変更部品（コスト削減）の置き換え時の信頼性評価

■対応部品の例
・能動部品（トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、等）
・受動部品（コンデンサ、抵抗、等）
・LCD
・基板
・電源
等 （詳細を見る）

株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に
線形な相関を持つ信号が特長です。

sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を
照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に
線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。

反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、
不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、
濃度の変化をCの変化として検出します。

【適用例】
■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の
　　　　　可視化およびドーパント濃度の半定量評価
■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当社では、試料表面を微小プローブで走査し、ナノレベルの
構造解析を実現いたします。

「形状測定（タッピングモード）」では、周期的に振動させた
プローブで試料表面を軽くタッピングし、表面形状を計測。

また、「位相イメージング」は、カンチレバーを動かす周期信号と
カンチレバーの振動との間の位相遅れをマッピングし、形状には
現れない物性の違いを可視化します。

【特長】
■微小プローブによる高分解能でのイメージング
■導体、半導体、絶縁体を問わず測定可能
■微小な触圧によりほぼ非破壊で測定できる

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。

当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、
不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。

Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を
はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、
「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。

【手法】
■発光解析/OBIRCH解析
■層剥離/サンプル加工
■マイクロプローブ
■PVC解析
■EBAC解析
■物理解析（FIB-SEM, TEM）

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。

当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、
独自の分析・解析技術を培ってきました。

Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。

【特長】
■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応
■表裏どちらからでもFIB加工可能
■PN接合部に形成された空乏層を可視化
■EDS、EELS分析といった元素分析も対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

株式会社アイテスでは、『パワーデバイスのHAST試験』を承っております。

【特長】
■最大1000V印加での不飽和蒸気加圧試験が可能
■高温高湿下での通電により、金属配線の腐食やマイグレーション等の評価を実施
■試験中のモニタリングにより､リアルタイムでの試料劣化を把握 （詳細を見る）

アイテスでは信頼性試験、分析・解析などパワーデバイスのトータルソリューションサービスを行っております。過渡熱測定を同時に行える「パワーサイクル試験機」をはじめ、「化合物半導体の故障解析」「拡散層の濃度解析」「モジュールの断面解析」など。具体的実績を元にご提案させていただきます。

キーワード：■パワー半導体全般（チップ、モジュールTIM素材など）■信頼性試験/評価　■構造解析（出来栄え・他社品RE）■故障解析（故障箇所特定、原因究明、改善提案）

【試験一覧】
■パワーサイクル試験
■液槽熱衝撃試験
■ゲートバイアス試験
■半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
■パワーチップの故障解析　など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を
行っております。

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス
であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、
故障解析も新たな手法が必要となります。

短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC
ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、
疑似リークを発生させました。

IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、
GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。

SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない
パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは
物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。

SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、
G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の
発光を検出。

発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが
認められました。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を
行っております。

FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の
形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が
SiCパワーデバイスでも対応できます。

「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた
二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。

FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。

【EBICを用いた解析手法】
■PEM/OBIRCH 不良箇所特定
■FIB断面加工
■低加速SEM
■EBIC解析
■TEM

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。

FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、
形状評価を行いました。

SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では
内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。

それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。

【特長】
■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能
■他手法より短納期で対応
■濃度は10E16まで検出可能
■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可

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当社が行っている『高温ラッチアップ試験』についてご紹介します。

近年､デバイスの最大使用周囲温度条件下でのラッチアップ試験の需要が増加。

特に、車載部品用のAEC規格では、ClassII（最大使用周囲温度）の試験条件のみ
となっており、高温状態での動作が要求されるデバイスでは、高温での
ラッチアップ試験が推奨されています。

【ラッチアップ試験の主要規格（抜粋）】
■JEDEC（JESD78E）
・電流パルス印加法､電源過電圧印加法
・ClassI：室温､ClassII：最大使用周囲温度
■JEITA｛JEITA ED4701／302（試験方法306B）｝
・電流パルス印加法､電源過電圧印加法
・ClassI：室温､ClassII：最大動作温度

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プラスチックの押出/射出成形加工は、その原料の耐熱温度（融点 Tm）に
応じて条件設定されますが原料の劣化変質により、決められた設定温度で
成形加工が困難となるケースもあります。

プラスチック原料のペレットや粉末のメルトフローレイト（MFR）を
確認することで、従来品と変化がないかを把握することが可能。

未処理（負荷なし）、温湿度負荷（恒温恒湿試験）、および紫外線照射した
PP（ポリプロピレン）を射出し、温度230℃、荷重5kgで評価した事例を
ご紹介しておりますので、ぜひPDFダウンロードよりご覧ください。

【評価事例】
■PP：ポリプロピレン
■8585：85℃85％ × 336時間
■UV：紫外線照射 253.7nm × 336時間
■射出時間：10分（3分から換算）

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当社が取り扱う、超音波顕微鏡『SAM(Scanning Acoustic Microscope)』を
ご紹介いたします。

半導体パッケージ、基板、電子部品等の内部状態、密着性状態の
不具合検出に大変威力を発揮します。

非破壊にて観察が可能で、試料に入射された超音波の反射波より、
剥離等の検出ができます。

【仕様(抜粋)】
■パルサーレシーバー：500MHz
■観察手法：反射法/透過法　両観察手法に対応
■音響レンズ/反射法：15,25,30,50,80,100,230MHz
■音響レンズ/透過法：15,25,30,50,100MHz

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株式会社アイテスでは、『冷熱衝撃試験』を行っております。

試料に高温と低温を繰り返し晒す事により、高温・低温の熱による
ストレスだけではなく、各部位の伸縮により応力が発生。
繰り返し応力によってもストレスが加えられます。

電子部品の接合部だけではなく、ネジ等による固定部位の評価としても
当試験が行われます。

【冷熱衝撃試験装置の主なスペック】
■内法：W650×H460×D370mm　温度範囲：-65～0/+60～200℃
■内法：W650×H460×D670mm　温度範囲：-65～0/+60～200℃
■内法：W970×H460×D670mm　温度範囲：-65～0/+60～200℃

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株式会社アイテスでは、『液槽冷熱衝撃試験』を行っております。

液体を媒体として温度変化によるストレスを与え、気槽式熱衝撃試験よりも
温度変化が急峻なため、短期間で実施するのに有効な試験方法です。

当装置では、高温の最高温度が180℃まで対応可能なため、高耐熱部品・材料
などの加速試験に対応することができます。

【特長】
■最高温度が180℃まで対応可能
■高耐熱部品の試験・評価に有効
■気槽式熱衝撃試験よりも温度変化が急峻
■短期間で実施するのに有効

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株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の
高温逆バイアス試験（HTRB）が最大2000Vまで印加できます。

試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムでデバイスの
劣化状況が把握可能｡電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが
故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。

また、不良基準（電流値）の設定が可能で不良判定デバイスの電源を
不良判定時に遮断することができます。

【特長】
■試験中のリーク電流のモニタリングにより､リアルタイムで
　デバイスの劣化状況が把握出来る
■電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが
　故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼさない
■不良判定デバイスの電源を不良判定時に遮断することができる

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）