パワーデバイスの故障解析

■解決する力
　知識と技術でかいけつに導くコンサルティング
　スピード対応でお客様スケジュールを支援
■つきとめる力
　故障個所をピンポイントし可視化する技能
　深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術
■特化した設備
　最高180℃での液槽熱衝撃試験
　パワー半導体に必須のパワーサイクル試験 （詳細を見る）

●製品ライフサイクル全般をカバーする総合的な技術サービス
　電子部品の品質向上のために必要な開発時の原材料評価、信頼性試験と結果解析、出荷後の故障解析と結果の開発・製造現場へのタイムリーなフィードバック、さらには品質問題解決のコンサルティングまで、製品ライフサイクル全体にわたりご支援します。
●信頼性試験の結果を速やかに解析、速報
　信頼性試験での不良に対し、豊富で効率的な解析メニューにより的確でタイムリーな原因特定、考察をご支援します。
●必要なサービスを必要なだけご利用ください
　決められた評価計画に基づく試験・検査実施から、問題解決のための評価・解析計画立案、結果解析、原因究明とコンサルテーションまで、必要にあわせて自由にご選択頂けます。
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あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の
パワーデバイスに対し最適な前処理を行い
裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。

■解析の前処理－裏面研磨－
　各種サンプル形態に対応します。
　Siチップサイズ：200um～15mm角

■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－
　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応
　エミッション解析：～2kV　まで対応
　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応

■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－
　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し
　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
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TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、
あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の
解析を行う事ができます。 （詳細を見る）

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される
エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法：
クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。
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アイテスでは信頼性試験、分析・解析などパワーデバイスのトータルソリューションサービスを行っております。過渡熱測定を同時に行える「パワーサイクル試験機」をはじめ、「化合物半導体の故障解析」「拡散層の濃度解析」「モジュールの断面解析」など。具体的実績を元にご提案させていただきます。

キーワード：■パワー半導体全般（チップ、モジュールTIM素材など）■信頼性試験/評価　■構造解析（出来栄え・他社品RE）■故障解析（故障箇所特定、原因究明、改善提案）

【試験一覧】
■パワーサイクル試験
■液槽熱衝撃試験
■ゲートバイアス試験
■半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
■パワーチップの故障解析　など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当資料では、分子構造解析のための分析手法として一例をご紹介しています。

液晶高分子（LCP）をはじめ、IRによる構造解析やラマンによる構造解析、
GC-MS分析による低分子液晶（for LCD）のTICデータ、および検出物質などを
図や表とともに掲載。

量子レベルでの分析解析には、層の厚い技術集団「アイテス」へ、
是非ご相談ください。

【掲載内容（抜粋）】
■液晶高分子（LCP）
■LCP（全芳香族ポリアミド）の構造解析
■IRによる構造解析
■ラマンによる構造解析
■XPS（ESCA）による構造解析

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。

当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、
独自の分析・解析技術を培ってきました。

Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。

【特長】
■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応
■表裏どちらからでもFIB加工可能
■PN接合部に形成された空乏層を可視化
■EDS、EELS分析といった元素分析も対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

裏面OBIRCH/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの
裏面研磨を行います。
これは、裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。

裏面から解析することで、不良を保持したまま発光を検出できるだけでなく、
形状異常の有無も観察できます。

また、パッケージ、開封済みチップ、ウエハー等様々な形態の半導体で
裏面研磨ができ、さらにリード端子を生かした状態の裏面研磨も可能です。

【特長】
■裏面解析は、電極による遮光や高濃度基板による光の減衰により
　透過しないため、裏面研磨が必要
■不良を保持したまま発光を検出できる
■形状異常の有無も観察できる
■リード端子を生かした状態の裏面研磨も可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで
検出する事で不良箇所を特定する手法です。

ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で
半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が可能。

更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察もできます。

【特長】
■リーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定
■サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは
　解析が難しい電子部品を解析する事も可能
■ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の
　特定が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当社が取り扱う、超音波顕微鏡『SAM(Scanning Acoustic Microscope)』を
ご紹介いたします。

半導体パッケージ、基板、電子部品等の内部状態、密着性状態の
不具合検出に大変威力を発揮します。

非破壊にて観察が可能で、試料に入射された超音波の反射波より、
剥離等の検出ができます。

【仕様(抜粋)】
■パルサーレシーバー：500MHz
■観察手法：反射法/透過法　両観察手法に対応
■音響レンズ/反射法：15,25,30,50,80,100,230MHz
■音響レンズ/透過法：15,25,30,50,100MHz

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

『FIB-SEM Helios 5 UC』の導入により、11月よりサービス開始予定！
今までより短納期、確実なフィードバックをご提供いたします。

パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスや
MLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の
断面観察・分析を高スループットで実現。

最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工できるほか、
FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が
可能です。

【Helios 5 UCの主な特長】
■高速・大面積FIB加工
■低加速仕上げによるダメージ層低減
■Cryo-FIB加工
■3Dイメージング
■TEM試料加工の完全自動化

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）