TEMによる電子部品・材料の解析

■解決する力
　知識と技術でかいけつに導くコンサルティング
　スピード対応でお客様スケジュールを支援
■つきとめる力
　故障個所をピンポイントし可視化する技能
　深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術
■特化した設備
　最高180℃での液槽熱衝撃試験
　パワー半導体に必須のパワーサイクル試験 （詳細を見る）

■総合力
　信頼性試験から電気特性測定、光学特性測定、さらに分析・解析までの一貫評価耐性
■充実した解析手法
　・順方向バイアス解析/逆方向バイアス解析
　・可視～赤外まで検出
　・発光解析/OBIRCH解析
■特殊技術
　可視光領域をフィルタリングすることにより、異常部位からの微弱発光を逃さず検出 （詳細を見る）

アイテスでは電子部品、実装基板、半導体、化合物半導体、パワーデバイス、
フィルム、樹脂成形品、太陽パネル、液晶ガラスなど
さまざまな部品・材料の断面を受託加工作製します。

また作製した断面の観察や分析を行い、不良解析や出来栄え評価などを
受託分析いたします。

【サービス一覧】
■機械研磨
■CP加工
■ミクロトーム
■FIB加工
■半導体拡散層の解析　など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

●製品ライフサイクル全般をカバーする総合的な技術サービス
　電子部品の品質向上のために必要な開発時の原材料評価、信頼性試験と結果解析、出荷後の故障解析と結果の開発・製造現場へのタイムリーなフィードバック、さらには品質問題解決のコンサルティングまで、製品ライフサイクル全体にわたりご支援します。
●信頼性試験の結果を速やかに解析、速報
　信頼性試験での不良に対し、豊富で効率的な解析メニューにより的確でタイムリーな原因特定、考察をご支援します。
●必要なサービスを必要なだけご利用ください
　決められた評価計画に基づく試験・検査実施から、問題解決のための評価・解析計画立案、結果解析、原因究明とコンサルテーションまで、必要にあわせて自由にご選択頂けます。
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あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の
パワーデバイスに対し最適な前処理を行い
裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。

■解析の前処理－裏面研磨－
　各種サンプル形態に対応します。
　Siチップサイズ：200um～15mm角

■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－
　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応
　エミッション解析：～2kV　まで対応
　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応

■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－
　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し
　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
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TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、
あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の
解析を行う事ができます。 （詳細を見る）

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される
エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法：
クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。
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電子部品の接合部は基板全体の信頼性に大きな影響を及ぼします。
特にはんだ接合部においては、形状のみならず、
金属組織の観察が重要になります。 （詳細を見る）

海外製部品・製品の中には、初期動作は問題なくても、
短期間に不具合を引き起こし、故障破壊に至るものもあります。
海外製品を採用・使用される前に、アイテスの
部品・製品 品質評価サービスをご検討下さい。

■海外製部品評価例
・部品調達・選定段階での信頼性評価
・部品・製品メーカー間比較評価
・現行部品⇒変更部品（コスト削減）の置き換え時の信頼性評価

■対応部品の例
・能動部品（トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、等）
・受動部品（コンデンサ、抵抗、等）
・LCD
・基板
・電源
等 （詳細を見る）

信頼性の低い液晶ディスプレイが市場で問題を起こしています。
アイテスでは豊富な経験と最新設備により、信頼性試験のデザインから
試験前後の目視検査を行い、お客様の抱える信頼性問題を解決します。
さらに、故障モードの分類から故障解析、材料分析まで御支援します。 （詳細を見る）

株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。

マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に
線形な相関を持つ信号が特長です。

sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を
照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に
線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。

反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、
不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、
濃度の変化をCの変化として検出します。

【適用例】
■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の
　　　　　可視化およびドーパント濃度の半定量評価
■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当資料は、半導体パッケージにおけるCuワイヤボンディングの
接合界面について解説しています。

目的とワイヤ接合をはじめ、Cuワイヤボンディングの特長や
接合中央部のCu-Al化合物と微小ボイド、Cu-Al化合物の成長（拡散）などを
図や写真と共に詳しく掲載しています。

【掲載内容（抜粋）】
■目的とワイヤ接合
■試料及び方法
■手順、流れ
■Cuワイヤボンディングの特長
■断面作製法の選択

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当資料は、半導体パッケージにおけるCuワイヤボンディングの
接合界面について掲載しています。

試料及び方法をはじめ、各種ワイヤボンディングや結果及び考察などを
図や写真と共に詳しく解説しています。

【掲載内容】
■緒言
■試料及び方法
■各種ワイヤボンディング
■結果及び考察
■結言
■参考文献

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

アイテスでは信頼性試験、分析・解析などパワーデバイスのトータルソリューションサービスを行っております。過渡熱測定を同時に行える「パワーサイクル試験機」をはじめ、「化合物半導体の故障解析」「拡散層の濃度解析」「モジュールの断面解析」など。具体的実績を元にご提案させていただきます。

キーワード：■パワー半導体全般（チップ、モジュールTIM素材など）■信頼性試験/評価　■構造解析（出来栄え・他社品RE）■故障解析（故障箇所特定、原因究明、改善提案）

【試験一覧】
■パワーサイクル試験
■液槽熱衝撃試験
■ゲートバイアス試験
■半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
■パワーチップの故障解析　など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

当社では、試料表面を微小プローブで走査し、ナノレベルの
構造解析を実現いたします。

「形状測定（タッピングモード）」では、周期的に振動させた
プローブで試料表面を軽くタッピングし、表面形状を計測。

また、「位相イメージング」は、カンチレバーを動かす周期信号と
カンチレバーの振動との間の位相遅れをマッピングし、形状には
現れない物性の違いを可視化します。

【特長】
■微小プローブによる高分解能でのイメージング
■導体、半導体、絶縁体を問わず測定可能
■微小な触圧によりほぼ非破壊で測定できる

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株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。

当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、
不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。

Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を
はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、
「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。

【手法】
■発光解析/OBIRCH解析
■層剥離/サンプル加工
■マイクロプローブ
■PVC解析
■EBAC解析
■物理解析（FIB-SEM, TEM）

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株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。

当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、
独自の分析・解析技術を培ってきました。

Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。

【特長】
■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応
■表裏どちらからでもFIB加工可能
■PN接合部に形成された空乏層を可視化
■EDS、EELS分析といった元素分析も対応

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セラミック（Al2O3）について、EBSDによる解析例を紹介致します。

「観察/元素分析」では、EDXによる元素分析からAl2O3と判断され、
マップよりSiが点在している様子が観察されました。

「EBSDによる解析」では、EBSD法により結晶サイズの分布や配向性を
確認でき、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を
可視化できます。

【解析概要】
■観察/元素分析
・SEMによる観察とEDXによる元素分析
■EBSDによる解析
・EBSDにて結晶構造を観察

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株式会社アイテスが保有する設備、集束イオンビーム「FIB」をご紹介します。

「FIB（集束イオンビーム）」は、Gaイオンを数μｍ以下に絞り、ビームを
走査させて試料表面の原子を弾き飛ばしながら微小領域を加工する装置です。

半導体、MEMS、液晶ガラス、ビルドアップ基板など、微小領域の断面加工や
TEM試料の作製が可能です。

【保有設備】
■クロスビームFIB「Carl Zeiss 1540XB」
■シングルビームFIB「SEIKO SMI 2200」

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眼鏡やカメラ等のレンズには様々なコート層が施されています。

眼鏡の場合、プラスチックレンズを保護するハードコートや光の反射を
抑える反射防止コート、紫外線カットするUVコート等、複数のコート層が
施されています。

これらの層は非常に薄い膜を重ねるように施されていますので
その様子を断面から観察してみました。

SEMで観察するとレンズ基材の上にハードコート/多層膜が施されている
様子が観察され、多層膜ではSiO膜とNb膜が交互に積層されている様子が
伺えます。

【概要】
■断面作製方法
・ミクロトームで作製
・フレームから取り外したレンズを小さくカットし埋め込み樹脂に包埋
・その後、ミクロトームにて断面を作製し光学顕微鏡観察、SEM観察、
　EDX分析を実施

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『FIB-SEM Helios 5 UC』の導入により、11月よりサービス開始予定！
今までより短納期、確実なフィードバックをご提供いたします。

パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスや
MLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の
断面観察・分析を高スループットで実現。

最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工できるほか、
FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が
可能です。

【Helios 5 UCの主な特長】
■高速・大面積FIB加工
■低加速仕上げによるダメージ層低減
■Cryo-FIB加工
■3Dイメージング
■TEM試料加工の完全自動化

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