ＩＣＰエッチング装置パンフレット

バッチタイプでサブミクロンのＳｉ酸化膜のエッチングに対応。
ＳｉＮ、Ｓｉ系薄膜だけでなく高融点金属や難エッチング材にも対応
石英の垂直性エッチング、厚膜レジストの微細加工等ニッチデバイスの加工に最適。
プラズマモード切替によるマルチステッププロセスでアッシングやクリーニングまで幅広い用途に積極対応 （詳細を見る）

１０‐⁷ｐａの排気性能を持つ超高真空スパッタリング装置。標準構成でカセット室・搬送室・エッチング室・複数のスパッタ室を装備。全自動ＣｔｏＣ方式による完全自動運転で研究開発作業の効率化を実現いたします。
高効率強磁性体用カソードやワイドエロージョンカソードなど成膜機構も選択でき、基板や目的に合わせて個別要求にご対応いたします。
シンプルな装置構成にも対応可能、リーズナブルなコスト対応を実現いたします。
上位仕様としてクラスタタイプの搬送室も装備可能でアニールや蒸着などの異種プロセス室も搭載可能な進化型スパッタリング装置です。 （詳細を見る）

『ICPメタルエッチング装置』は、先端薄膜プロセスに対応した
金属膜対応の高密度プラズマエッチング装置です。

半導体、MEMSなどの汎用デバイスだけでなく露光用マスクや金属基板の
表面処理などの特殊プロセスにも積極対応いたします。

独自のチャンバ内構造により抵パーティクルのメタルエッチング
(nmレベル)を実現しており、高い歩留りと稼働率が特長です。

【特長】
■nmレベルのメタル膜の精密エッチング
■独自機構による抵パーティクルプロセス
■メタル膜、化合物半導体基板など幅広い用途へのプロセス対応
■ナノインプリントモールド用「SERIO」の基本構成を生かした
　高いハードの信頼性
■ウェハだけでなく特殊材質、形状基板への積極対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

複数の自公転基板台の採用により、量産用としての処理量と優れた膜厚均一異性を両立したバッチタイプスパッタリング装置です。
サイドスパッタ方式により1ｍを超えるチャンバ系でありながら、基板やターゲットの着脱作業、真空層内のメンテナンスの簡易性を実現しました。
量産用途に最適なデータロギングシステムや装置制御や管理を容易にする制御インターフェースソフトなど量産用装置に必須な細かな配慮が組み込まれています。
３００ウェハに代表される大型基板の施策・少量生産に抵抗器やセンサーなどの小型電子部品の大量生産に、品質とスループットを両立いたします。
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ダメージフリーのダウンフロー型表面波プラズマの強還元性Ｈ２ラジカル雰囲気でフラックスレスリフロー　フラックス塗布、洗浄工程　塗布装置、洗浄装置を削減。完全ドライＣｔｏＣシステム。ファインピッチバンプの短タクトリフロープロセスを実現。
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『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど
幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。

実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い
加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、
ナノインプリントモールドの作成に適しています。

平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン
プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。

【特長】
■スキャロップの無い平滑なエッチング側面
■高いSi深掘り時の垂直性（90°±2°）
■エッチングテーパー角の制御性
■高開口度エッチングに対応
■デモ機を常設
■サンプルテストに対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）

チャージアップダメージを排除したダウンフロープラズマによるダメージレスアッシングを実現。表面波プラズマ（ＳＷＰ）によるハイレートアッシングと２室装備されたアッシング室によりハイスループットを実現。
アッシングだけでなくＲＩＥ室の装備により特殊レジスト・有機膜野除去にもまたイオン注入後の硬化レジスト除去に対応。表面部の硬化レジストの除去とレジスト下層のダメージレスアッシングの両立を実現。
コンパクトな枚葉式ロードロック室とツインハンドロボットの採用でりコンパクトな設置寸法を実現。
通常のウェハだけでなく。１ｍｍ以上の厚みのウェハや矩形基板など特殊基板にも対応実績。多用途対応の枚葉式エッチング・アッシング装置 （詳細を見る）

新開発プラズマ源HCｄ（ホローカソード放電）型電極搭載。無磁場・無アンテナのシンプルなk構造で従来型電極より一桁高いプラズマを密度を実現。

独自開発高密度プラズマと独自プロセスで各種メタルだけでなくＣｕ薄膜などの難エッチング材のエッチングに対応。
新開発HCD型ヘッドはスケールアップが容易で矩形基板や大型基板の高精度エッチングが可能。
３００ｍｍウェハや積層基板、最大１ｍ□までの基板のメタルエッチングに対応。
近年ニーズが高まっている半導体周辺部材（フォトマスク、高密度実装基板）をカバーする従来のプラズマエッチングにとらわれない新型エッチング装置 （詳細を見る）