水銀プローブCV/IV測定装置

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や
MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。

従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・
ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。

当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに
酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる
素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を
提供します。

【特長】
■水銀プローブにより電極の形成が不要
■抜群の再現性
・ショットキー：0.3％(1σ）／MOS：0.1％(1σ）
■ウェハー面内のマッピング可
■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 （詳細を見る）